Oriented growth of semiconductor thin films on noncrystalline substrates for graphoepitaxy 半導体結晶薄膜のグラフォエピタクシ成長に関する基礎研究

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著者

    • 金田, 隆 カナタ, タカシ

書誌事項

タイトル

Oriented growth of semiconductor thin films on noncrystalline substrates for graphoepitaxy

タイトル別名

半導体結晶薄膜のグラフォエピタクシ成長に関する基礎研究

著者名

金田, 隆

著者別名

カナタ, タカシ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5292号

学位授与年月日

1991-02-26

注記・抄録

博士論文

09520

博士(工学)

1991-02-26

大阪大学

14401乙第05292号

目次

  1. TABLE OF CONTENTS / p6 (0009.jp2)
  2. Chapter I.INTRODUCTION / p1 (0012.jp2)
  3. 1-1.Concept of graphoepitaxy / p1 (0012.jp2)
  4. 1-2.Historical background / p3 (0014.jp2)
  5. Chapter II.ORIENTATION ALIGNMENT OF CRYSTALLINE THIN FILM ON NONCRYSTALLINE SUBSTRATE - THEORETICAL BACKGROUND OF GRAPHOEPITAXY - / p12 (0023.jp2)
  6. 2-1.Introduction / p12 (0023.jp2)
  7. 2-2.Relation between surface free energy and crystal habit for orientation alignment of crystallites / p13 (0024.jp2)
  8. 2-3.Nucleation in vapor phase deposition and the effect of environment / p25 (0036.jp2)
  9. 2-4.Nucleation in solid-liquid coexisting phase / p32 (0043.jp2)
  10. 2-5.Summary / p34 (0045.jp2)
  11. Chapter III.PREPARATION OF GRAPHOEPITAXY SUBSTRATE / p37 (0048.jp2)
  12. 3-1.Introduction / p37 (0048.jp2)
  13. 3-2.Duplication of textured natural crystalline surface relief on foreign substrate / p38 (0049.jp2)
  14. 3-3.Crystallographic orientation of diamond and zinc-blende type crystals grown on graphoepitaxy substrate / p44 (0055.jp2)
  15. 3-4.Summary / p45 (0056.jp2)
  16. Chapter IV.GRAPHOEPITAXIAL GROWTH BY VAPOR DEPOSITION / p47 (0058.jp2)
  17. 4-1.Introduction / p47 (0058.jp2)
  18. 4-2.Graphoepitaxy of ZnS by vacuum vapor deposition / p48 (0059.jp2)
  19. 4-3.Summary / p57 (0068.jp2)
  20. Chapter V.GRAPHOEPITAXIAL GROWTH UTILIZING EUTECTIC ALLOY / p59 (0070.jp2)
  21. 5-1.Introduction / p59 (0070.jp2)
  22. 5-2.Graphoepitaxy of Ge by laser recrystallization / p61 (0072.jp2)
  23. 5-3.Molecular beam graphoepitaxy of Ge / p86 (0097.jp2)
  24. 5-4.Summary / p88 (0099.jp2)
  25. Chapter VI.HETEROEPITAXIAL GROWTH ON GRAPHOEPITAXIAL THIN FILM BY MOLECULAR BEAM EPITAXY / p92 (0103.jp2)
  26. 6-1.Introduction / p92 (0103.jp2)
  27. 6-2.Epitaxial growth of InxGa₁-xAs on graphoepitaxial Ge thin films / p92 (0103.jp2)
  28. 6-3.aman scattering of epitaxial films / p93 (0104.jp2)
  29. 6-4.Experimental results of photoreflectance spectroscopy in epitaxial films / p97 (0108.jp2)
  30. 6-5.In-plane carrier transport in GaAs epitaxial films / p101 (0112.jp2)
  31. 6-6.Summary / p104 (0115.jp2)
  32. Chapter VII.CONCLUSIONS / p108 (0119.jp2)
  33. VITA / p113 (0124.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000075889
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000076090
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000240203
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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