Deep-states characterization of hydrogenated amorphous silicon by current transient spectroscopy 電流過渡分光法による水素化アモルファスシリコンの深い状態評価に関する研究

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著者

    • 木田, 浩嗣 キダ, ヒロツグ

書誌事項

タイトル

Deep-states characterization of hydrogenated amorphous silicon by current transient spectroscopy

タイトル別名

電流過渡分光法による水素化アモルファスシリコンの深い状態評価に関する研究

著者名

木田, 浩嗣

著者別名

キダ, ヒロツグ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5294号

学位授与年月日

1991-02-26

注記・抄録

博士論文

09522

博士(工学)

1991-02-26

大阪大学

14401乙第05294号

目次

  1. TABLE OF CONTENTS / p5 (0005.jp2)
  2. Chapter I.INTRODUCTION / p1 (0007.jp2)
  3. 1-1.Historical background / p1 (0007.jp2)
  4. 1-2.Objective of this work / p3 (0008.jp2)
  5. Chapter Ⅱ.MACROSCOPIC DESCRIPTION OF ELECTRONIC BEHAVIOR IN AMORPHOUS SEMICONDUCTORS / p10 (0012.jp2)
  6. 2-1.Introduction / p10 (0012.jp2)
  7. 2-2.Mobility / p11 (0012.jp2)
  8. 2-3.Carrier concentration / p13 (0013.jp2)
  9. 2-4.Lifetime / p19 (0016.jp2)
  10. 2-5.A physical model for lifetime / p26 (0020.jp2)
  11. 2-6.Lifetime for crystalline semiconductors and deep states for amorphous semiconductors / p31 (0022.jp2)
  12. 2-7.Summary / p37 (0025.jp2)
  13. Chapter Ⅲ.THERMALLY STIMULATED TRANSIENT SPECTROSCOPY OF DEEP STATES IN AMORPHOUS SEMICONDUCTORS / p40 (0027.jp2)
  14. 3-1.Introduction / p40 (0027.jp2)
  15. 3-2.Outline of junction transient spectroscopy / p42 (0028.jp2)
  16. 3-3.Energy analysis of transient signal / p60 (0037.jp2)
  17. 3-4.Spatial analysis in transient spectroscopy / p90 (0052.jp2)
  18. 3-5.Summary / p92 (0053.jp2)
  19. Chapter Ⅳ.DEVICE MODELING OF AMORPHOUS SILICON BASED JUNCTION / p97 (0055.jp2)
  20. 4-1.Introduction / p97 (0055.jp2)
  21. 4-2.Basic semiconductor equations / p100 (0057.jp2)
  22. 4-3.Boundary conditions / p102 (0058.jp2)
  23. 4-4.Implementation / p105 (0059.jp2)
  24. 4-5.Representative examples / p106 (0060.jp2)
  25. 4-6.Summary / p110 (0062.jp2)
  26. Chapter V.MEASUREMENT OF DEEP-STATES ENERGY DISTRIBUTION / p113 (0063.jp2)
  27. 5-1.Introduction / p113 (0063.jp2)
  28. 5-2.Current transient spectroscopy / p115 (0064.jp2)
  29. 5-3.Experiment / p138 (0076.jp2)
  30. 5-4.Density-of-states energy distribution in undoped amorphous silicon / p142 (0078.jp2)
  31. 5-5.Summary / p155 (0084.jp2)
  32. Chapter Ⅵ.CONCLUSIONS / p160 (0087.jp2)
  33. Appendix.Probability meaning of statistical lifetime / p164 (0089.jp2)
  34. VITA / (0090.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000075891
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000076092
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000240205
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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