AlGaInP混晶半導体における長距離秩序構造 AlGaInP コンショウ ハンドウタイ ニ オケル チョウキョリ チツジョ コウゾウ

この論文をさがす

著者

    • 近藤, 正彦 コンドウ, マサヒコ

書誌事項

タイトル

AlGaInP混晶半導体における長距離秩序構造

タイトル別名

AlGaInP コンショウ ハンドウタイ ニ オケル チョウキョリ チツジョ コウゾウ

著者名

近藤, 正彦

著者別名

コンドウ, マサヒコ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5295号

学位授与年月日

1991-02-26

注記・抄録

博士論文

09523

博士(工学)

1991-02-26

大阪大学

14401乙第05295号

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 参考文献-1 / p4 (0007.jp2)
  4. 第2章 AlGaInP混晶半導体中の長距離秩序構造 / p6 (0008.jp2)
  5. 2-1 結晶成長 / p6 (0008.jp2)
  6. 2-2 AlGaInP混晶半導体中の長距離秩序構造 / p7 (0008.jp2)
  7. 2-3 第2章のまとめ / p17 (0013.jp2)
  8. 参考文献-2 / p18 (0014.jp2)
  9. 第3章 長距離秩序構造の発生原因 / p19 (0014.jp2)
  10. 3-1 基板結晶の面方位と長距離秩序構造 / p19 (0014.jp2)
  11. 3-2 Ga₀.₇In₀.₃Pにおける長距離秩序構造 / p21 (0015.jp2)
  12. 3-3 GaInPにおけるCuPt型長距離秩序構造の発生機構 / p31 (0020.jp2)
  13. 3-4 第3章のまとめ / p36 (0023.jp2)
  14. 参考文献-3 / p37 (0023.jp2)
  15. 第4章 長距離秩序構造の発生とバンドギャップの異常 / p39 (0024.jp2)
  16. 4-1 エレクトロリフレクタンス測定 / p39 (0024.jp2)
  17. 4-2 バンドギャップの異常の原因 / p46 (0028.jp2)
  18. 4-3 ERスペクトルと長距離秩序構造 / p59 (0034.jp2)
  19. 4-4 第4章のまとめ / p62 (0036.jp2)
  20. 参考文献-4 / p63 (0036.jp2)
  21. 第5章 長距離秩序構造と可視光半導体レーザの特性 / p65 (0037.jp2)
  22. 5-1 長距離秩序構造の発生と可視光半導体レーザの特性 / p65 (0037.jp2)
  23. 5-2 (511)A基板を用いた可視光半導体レーザの作製 / p68 (0039.jp2)
  24. 5-3 (511)A基板を用いた可視光半導体レーザの特性 / p70 (0040.jp2)
  25. 5-4 第5章のまとめ / p74 (0042.jp2)
  26. 参考文献-5 / p75 (0042.jp2)
  27. 第6章 結論 / p76 (0043.jp2)
  28. 謝辞 / (0044.jp2)
  29. 本研究に関する発表 / (0045.jp2)
0アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000075892
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000076093
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000240206
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ