窒化珪素セラミックスと金属の接合に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
窒化珪素セラミックスと金属の接合に関する研究
- 著者名
-
才田, 一幸
- 著者別名
-
サイダ, カズヨシ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
乙第5310号
- 学位授与年月日
-
1991-02-28
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0002.jp2)
- 第1章 緒論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 本研究の背景および目的 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 本論文の流れおよび構成 / p3 (0006.jp2)
- 第2章 ファインセラミックスと金属の接合に関する研究の現状と問題点 / p6 (0008.jp2)
- 2.1 接合方法 / p6 (0008.jp2)
- 2.2 研究の変遷および最近の動向 / p7 (0008.jp2)
- 2.3 接合現象および接合機構 / p12 (0011.jp2)
- 2.4 接合継手特性 / p20 (0015.jp2)
- 2.5 接合部の力学的評価 / p29 (0019.jp2)
- 2.6 接合方法の開発に対する考え方 / p33 (0021.jp2)
- 第3章 Si₃N₄と金属の接合継手における残留応力解析 / p34 (0022.jp2)
- 3.1 緒言 / p34 (0022.jp2)
- 3.2 残留応力分布の計算方法 / p34 (0022.jp2)
- 3.3 接合継手の残留応力 / p35 (0022.jp2)
- 3.4 残留応力に及ぼす諸因子の影響 / p40 (0025.jp2)
- 3.5 残留応力低減策に関する考察 / p43 (0026.jp2)
- 3.6 結言 / p46 (0028.jp2)
- 付録3A 有限要素分割例 / p46 (0028.jp2)
- 第4章 Si₃N₄と金属の接合用インサート金属および接合条件の選定 / p50 (0030.jp2)
- 4.1 緒言 / p50 (0030.jp2)
- 4.2 インサート金属の具備すべき条件 / p50 (0030.jp2)
- 4.3 供試材料および実験方法 / p51 (0030.jp2)
- 4.4 接合用インサート金属の選定 / p54 (0032.jp2)
- 4.5 Si₃N₄と金属の接合結果 / p60 (0035.jp2)
- 4.6 結言 / p68 (0039.jp2)
- 第5章 Si₃N₄と金属の接合部の組織 / p75 (0042.jp2)
- 5.1 緒言 / p75 (0042.jp2)
- 5.2 供試材料および実験方法 / p75 (0042.jp2)
- 5.3 接合部の組織および元素分布 / p77 (0043.jp2)
- 5.4 接合部における反応生成物 / p81 (0045.jp2)
- 5.5 反応生成物に関する熱力学的検討 / p85 (0047.jp2)
- 5.6 接合界面の直接観察 / p88 (0049.jp2)
- 5.7 接合界面構造に関する考察 / p94 (0052.jp2)
- 5.8 Si₃N₄と金属の接合現象に関する考察 / p99 (0054.jp2)
- 5.9 結言 / p101 (0055.jp2)
- 付録5A.1 反応生成物のTEM同定結果 / p102 (0056.jp2)
- 付録5A.2 △Gの計算方法 / p102 (0056.jp2)
- 第6章 Cu富化層による熱応力緩衝効果 / p110 (0060.jp2)
- 6.1 緒言 / p110 (0060.jp2)
- 6.2 供試材料および実験方法 / p110 (0060.jp2)
- 6.3 Cu富化層の硬さ / p111 (0060.jp2)
- 6.4 割れ発生に及ぼすCu富化層の影響 / p111 (0060.jp2)
- 6.5 Cu富化層による熱応力緩衝効果 / p116 (0063.jp2)
- 6.6 結言 / p123 (0066.jp2)
- 第7章 Si₃N₄と金属の接合機構 / p125 (0067.jp2)
- 7.1 緒言 / p125 (0067.jp2)
- 7.2 供試材料および実験方法 / p125 (0067.jp2)
- 7.3 反応層の形成現象 / p127 (0068.jp2)
- 7.4 反応層成長に関する速度論的検討 / p136 (0073.jp2)
- 7.5 Cu富化層の形成現象 / p143 (0076.jp2)
- 7.6 Si₃N₄と金属の接合機構に関する考察 / p156 (0083.jp2)
- 7.7 結言 / p159 (0084.jp2)
- 第8章 Si₃N₄と金属の接合強さの支配要因 / p161 (0085.jp2)
- 8.1 緒言 / p161 (0085.jp2)
- 8.2 供試材料および実験方法 / p161 (0085.jp2)
- 8.3 Si₃N₄と金属の接合強さに及ぼすSi₃N₄母材側面の表面状況の影響 / p164 (0087.jp2)
- 8.4 Si₃N₄と金属の接合強さに及ぼす反応層の影響 / p166 (0088.jp2)
- 8.5 破断形態の調査 / p169 (0089.jp2)
- 8.6 接合強さの低下原因に関する検討 / p179 (0094.jp2)
- 8.7 反応層制御による接合強さの改善原因に関する考察 / p198 (0104.jp2)
- 8.8 結言 / p200 (0105.jp2)
- 第9章 結論 / p202 (0106.jp2)
- 謝辞 / p208 (0109.jp2)
- 参考文献 / p209 (0109.jp2)
- 本論文に関連した発表論文 / p222 (0116.jp2)