窒化珪素セラミックスと金属の接合に関する研究

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著者

    • 才田, 一幸 サイダ, カズヨシ

書誌事項

タイトル

窒化珪素セラミックスと金属の接合に関する研究

著者名

才田, 一幸

著者別名

サイダ, カズヨシ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5310号

学位授与年月日

1991-02-28

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0002.jp2)
  2. 第1章 緒論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 本研究の背景および目的 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本論文の流れおよび構成 / p3 (0006.jp2)
  5. 第2章 ファインセラミックスと金属の接合に関する研究の現状と問題点 / p6 (0008.jp2)
  6. 2.1 接合方法 / p6 (0008.jp2)
  7. 2.2 研究の変遷および最近の動向 / p7 (0008.jp2)
  8. 2.3 接合現象および接合機構 / p12 (0011.jp2)
  9. 2.4 接合継手特性 / p20 (0015.jp2)
  10. 2.5 接合部の力学的評価 / p29 (0019.jp2)
  11. 2.6 接合方法の開発に対する考え方 / p33 (0021.jp2)
  12. 第3章 Si₃N₄と金属の接合継手における残留応力解析 / p34 (0022.jp2)
  13. 3.1 緒言 / p34 (0022.jp2)
  14. 3.2 残留応力分布の計算方法 / p34 (0022.jp2)
  15. 3.3 接合継手の残留応力 / p35 (0022.jp2)
  16. 3.4 残留応力に及ぼす諸因子の影響 / p40 (0025.jp2)
  17. 3.5 残留応力低減策に関する考察 / p43 (0026.jp2)
  18. 3.6 結言 / p46 (0028.jp2)
  19. 付録3A 有限要素分割例 / p46 (0028.jp2)
  20. 第4章 Si₃N₄と金属の接合用インサート金属および接合条件の選定 / p50 (0030.jp2)
  21. 4.1 緒言 / p50 (0030.jp2)
  22. 4.2 インサート金属の具備すべき条件 / p50 (0030.jp2)
  23. 4.3 供試材料および実験方法 / p51 (0030.jp2)
  24. 4.4 接合用インサート金属の選定 / p54 (0032.jp2)
  25. 4.5 Si₃N₄と金属の接合結果 / p60 (0035.jp2)
  26. 4.6 結言 / p68 (0039.jp2)
  27. 第5章 Si₃N₄と金属の接合部の組織 / p75 (0042.jp2)
  28. 5.1 緒言 / p75 (0042.jp2)
  29. 5.2 供試材料および実験方法 / p75 (0042.jp2)
  30. 5.3 接合部の組織および元素分布 / p77 (0043.jp2)
  31. 5.4 接合部における反応生成物 / p81 (0045.jp2)
  32. 5.5 反応生成物に関する熱力学的検討 / p85 (0047.jp2)
  33. 5.6 接合界面の直接観察 / p88 (0049.jp2)
  34. 5.7 接合界面構造に関する考察 / p94 (0052.jp2)
  35. 5.8 Si₃N₄と金属の接合現象に関する考察 / p99 (0054.jp2)
  36. 5.9 結言 / p101 (0055.jp2)
  37. 付録5A.1 反応生成物のTEM同定結果 / p102 (0056.jp2)
  38. 付録5A.2 △Gの計算方法 / p102 (0056.jp2)
  39. 第6章 Cu富化層による熱応力緩衝効果 / p110 (0060.jp2)
  40. 6.1 緒言 / p110 (0060.jp2)
  41. 6.2 供試材料および実験方法 / p110 (0060.jp2)
  42. 6.3 Cu富化層の硬さ / p111 (0060.jp2)
  43. 6.4 割れ発生に及ぼすCu富化層の影響 / p111 (0060.jp2)
  44. 6.5 Cu富化層による熱応力緩衝効果 / p116 (0063.jp2)
  45. 6.6 結言 / p123 (0066.jp2)
  46. 第7章 Si₃N₄と金属の接合機構 / p125 (0067.jp2)
  47. 7.1 緒言 / p125 (0067.jp2)
  48. 7.2 供試材料および実験方法 / p125 (0067.jp2)
  49. 7.3 反応層の形成現象 / p127 (0068.jp2)
  50. 7.4 反応層成長に関する速度論的検討 / p136 (0073.jp2)
  51. 7.5 Cu富化層の形成現象 / p143 (0076.jp2)
  52. 7.6 Si₃N₄と金属の接合機構に関する考察 / p156 (0083.jp2)
  53. 7.7 結言 / p159 (0084.jp2)
  54. 第8章 Si₃N₄と金属の接合強さの支配要因 / p161 (0085.jp2)
  55. 8.1 緒言 / p161 (0085.jp2)
  56. 8.2 供試材料および実験方法 / p161 (0085.jp2)
  57. 8.3 Si₃N₄と金属の接合強さに及ぼすSi₃N₄母材側面の表面状況の影響 / p164 (0087.jp2)
  58. 8.4 Si₃N₄と金属の接合強さに及ぼす反応層の影響 / p166 (0088.jp2)
  59. 8.5 破断形態の調査 / p169 (0089.jp2)
  60. 8.6 接合強さの低下原因に関する検討 / p179 (0094.jp2)
  61. 8.7 反応層制御による接合強さの改善原因に関する考察 / p198 (0104.jp2)
  62. 8.8 結言 / p200 (0105.jp2)
  63. 第9章 結論 / p202 (0106.jp2)
  64. 謝辞 / p208 (0109.jp2)
  65. 参考文献 / p209 (0109.jp2)
  66. 本論文に関連した発表論文 / p222 (0116.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000075907
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000076108
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000240221
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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