MoゲートMOS素子の電気的特性とその安定化に関する研究

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著者

    • 野崎, 忠敏 ノザキ, タダトシ

書誌事項

タイトル

MoゲートMOS素子の電気的特性とその安定化に関する研究

著者名

野崎, 忠敏

著者別名

ノザキ, タダトシ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5384号

学位授与年月日

1991-03-14

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p3 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 第2章 MoゲートMOS素子の作成及び実験・評価方法 / p6 (0007.jp2)
  4. 2.1 MoゲートMOS素子の製造プロセス / p6 (0007.jp2)
  5. 2.2 実験及び評価方法 / p8 (0008.jp2)
  6. 第3章 MOS電気的特性と製造プロセスとの相関及びそれらに関与する機構 / p9 (0008.jp2)
  7. 3.1 前書 / p9 (0008.jp2)
  8. 3.2 MOSダイオードの電気的特性 / p11 (0009.jp2)
  9. 3.3 ソース・ドレイン層形成用Asイオン注入に起因した電気的特性の変動とその機構 / p18 (0013.jp2)
  10. 3.4 MOSトランジスタの電気的特性 / p34 (0021.jp2)
  11. 3.5 第3章の結論 / p37 (0022.jp2)
  12. 第4章 可動イオン汚染に起因した素子電気的特性の不安定性とその回避及びそれらに関与する機構 / p40 (0024.jp2)
  13. 4.1 前書 / p40 (0024.jp2)
  14. 4.2 可動イオン汚染に起因した素子電気的特性の不安定性 / p41 (0024.jp2)
  15. 4.3 フラットバンド電圧の負方向シフト、[化学式]の起源 / p44 (0026.jp2)
  16. 4.4 Al,Si及びMoSi₂ゲートMOS素子における可動イオン汚染 / p47 (0027.jp2)
  17. 4.5 PSGアニールによるフラットバンド電圧シフト、[化学式]の低減とそれに関与する機構 / p48 (0028.jp2)
  18. 4.6 第4章の結論 / p53 (0030.jp2)
  19. 第5章 長期信頼性試験におけるMOSダイオードの電気的特性の劣化とその機構 / p55 (0031.jp2)
  20. 5.1 前書 / p55 (0031.jp2)
  21. 5.2 MOSダイオードの電気的特性の劣化モード / p56 (0032.jp2)
  22. 5.3 SiゲートMOSダイオードの信頼性 / p64 (0036.jp2)
  23. 5.4 -BT信頼性試験におけるMOS特性の劣化 / p66 (0037.jp2)
  24. 5.5 イオンプレーティング法で形成されたMoゲートMOS素子の信頼性 / p68 (0038.jp2)
  25. 5.6 フラットバンド電圧の負方向シフト[化学式]の機構 / p71 (0039.jp2)
  26. 5.7 第5章の結論 / p75 (0041.jp2)
  27. 第6章 長期信頼性試験におけるトランジスタの電気的特性の劣化とその機構 / p77 (0042.jp2)
  28. 6.1 前書 / p77 (0042.jp2)
  29. 6.2 +BT信頼性試験におけるしきい値電圧の正方向シフト / p78 (0043.jp2)
  30. 6.3 MoSi₂ 及びSiゲートMOSトランジスタにおけるしきい値電圧[化学式]の正方向シフト / p87 (0047.jp2)
  31. 6.4 界面準位発生要因 / p89 (0048.jp2)
  32. 6.5 界面準位の発生機構に関する考察 / p95 (0051.jp2)
  33. 6.6 第6章の結論 / p98 (0053.jp2)
  34. 第7章 中性トラップの発生とその起源 / p100 (0054.jp2)
  35. 7.1 前書 / p100 (0054.jp2)
  36. 7.2 評価法 / p101 (0054.jp2)
  37. 7.3 Moゲート特有の中性トラップの発生 / p105 (0056.jp2)
  38. 7.4 中性トラップ発生の起源に関する検討 / p107 (0057.jp2)
  39. 7.5 第7章の結論 / p110 (0059.jp2)
  40. 第8章 要約及び今後の課題 / p112 (0060.jp2)
  41. 8.1 本研究の要約 / p112 (0060.jp2)
  42. 8.2 今後の課題 / p115 (0061.jp2)
  43. 謝辞 / p116 (0062.jp2)
  44. 本論文に関する発表論文 / p117 (0062.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000075981
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000076182
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000240295
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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