化合物半導体におけるプロセス誘起欠陥の研究 カゴウブツ ハンドウタイ ニ オケル プロセス ユウキ ケッカン ノ ケンキュウ

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著者

    • 弓場, 愛彦 ユバ, ヨシヒコ

書誌事項

タイトル

化合物半導体におけるプロセス誘起欠陥の研究

タイトル別名

カゴウブツ ハンドウタイ ニ オケル プロセス ユウキ ケッカン ノ ケンキュウ

著者名

弓場, 愛彦

著者別名

ユバ, ヨシヒコ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5390号

学位授与年月日

1991-03-14

注記・抄録

博士論文

09621

博士(工学)

1991-03-14

大阪大学

14401乙第05390号

目次

  1. 目次 / p3 (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 研究の目的 / p5 (0007.jp2)
  5. 第2章 GaAsのビーム照射欠陥 / p10 (0010.jp2)
  6. 2.1 はじめに / p10 (0010.jp2)
  7. 2.2 DLTS法による欠陥評価 / p11 (0010.jp2)
  8. 2.3 プロトン照射欠陥 / p18 (0014.jp2)
  9. 2.4 Arイオン照射欠陥 / p31 (0020.jp2)
  10. 2.5 考察 / p35 (0022.jp2)
  11. 2.6 まとめ / p37 (0023.jp2)
  12. 第3章 GaAsのプロセス誘起欠陥 / p40 (0025.jp2)
  13. 3.1 イオンビームエッチング / p40 (0025.jp2)
  14. 3.2 パルスレーザアニール / p47 (0028.jp2)
  15. 3.3 分子線エピタキシャル成長界面 / p57 (0032.jp2)
  16. 第4章 InPのプロセス誘起欠陥 / p72 (0040.jp2)
  17. 4.1 はじめに / p72 (0040.jp2)
  18. 4.2 0TCS法による格子欠陥の評価 / p73 (0040.jp2)
  19. 4.3 イオン照射欠陥 / p77 (0042.jp2)
  20. 4.4 イオンビームエッチング誘起欠陥 / p83 (0045.jp2)
  21. 4.5 まとめ / p88 (0048.jp2)
  22. 第5章 結論 / p91 (0049.jp2)
  23. 謝辞 / p93 (0050.jp2)
  24. 付録 接合容量法による深い準位の測定 / p94 (0051.jp2)
  25. 1. 深い準位の荷電状態の変化 / p94 (0051.jp2)
  26. 2. 接合容量の過渡変化 / p96 (0052.jp2)
  27. 3. DLTS法 / p100 (0054.jp2)
  28. 4. バイアス変調微分C-V法 / p101 (0054.jp2)
  29. 発表論文リスト / p105 (0056.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000075987
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000076188
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000240301
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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