化合物半導体におけるプロセス誘起欠陥の研究 カゴウブツ ハンドウタイ ニ オケル プロセス ユウキ ケッカン ノ ケンキュウ
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著者
書誌事項
- タイトル
-
化合物半導体におけるプロセス誘起欠陥の研究
- タイトル別名
-
カゴウブツ ハンドウタイ ニ オケル プロセス ユウキ ケッカン ノ ケンキュウ
- 著者名
-
弓場, 愛彦
- 著者別名
-
ユバ, ヨシヒコ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
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乙第5390号
- 学位授与年月日
-
1991-03-14
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p3 (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 研究の目的 / p5 (0007.jp2)
- 第2章 GaAsのビーム照射欠陥 / p10 (0010.jp2)
- 2.1 はじめに / p10 (0010.jp2)
- 2.2 DLTS法による欠陥評価 / p11 (0010.jp2)
- 2.3 プロトン照射欠陥 / p18 (0014.jp2)
- 2.4 Arイオン照射欠陥 / p31 (0020.jp2)
- 2.5 考察 / p35 (0022.jp2)
- 2.6 まとめ / p37 (0023.jp2)
- 第3章 GaAsのプロセス誘起欠陥 / p40 (0025.jp2)
- 3.1 イオンビームエッチング / p40 (0025.jp2)
- 3.2 パルスレーザアニール / p47 (0028.jp2)
- 3.3 分子線エピタキシャル成長界面 / p57 (0032.jp2)
- 第4章 InPのプロセス誘起欠陥 / p72 (0040.jp2)
- 4.1 はじめに / p72 (0040.jp2)
- 4.2 0TCS法による格子欠陥の評価 / p73 (0040.jp2)
- 4.3 イオン照射欠陥 / p77 (0042.jp2)
- 4.4 イオンビームエッチング誘起欠陥 / p83 (0045.jp2)
- 4.5 まとめ / p88 (0048.jp2)
- 第5章 結論 / p91 (0049.jp2)
- 謝辞 / p93 (0050.jp2)
- 付録 接合容量法による深い準位の測定 / p94 (0051.jp2)
- 1. 深い準位の荷電状態の変化 / p94 (0051.jp2)
- 2. 接合容量の過渡変化 / p96 (0052.jp2)
- 3. DLTS法 / p100 (0054.jp2)
- 4. バイアス変調微分C-V法 / p101 (0054.jp2)
- 発表論文リスト / p105 (0056.jp2)
