Low energy plasma etching of GaAs using electron beam excited plasma system and its application 電子ビーム励起プラズマを用いたGaAsの低エネルギープラズマエッチングとその応用

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著者

    • 余, 金中 ユ, ジンチュン

書誌事項

タイトル

Low energy plasma etching of GaAs using electron beam excited plasma system and its application

タイトル別名

電子ビーム励起プラズマを用いたGaAsの低エネルギープラズマエッチングとその応用

著者名

余, 金中

著者別名

ユ, ジンチュン

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5391号

学位授与年月日

1991-03-14

注記・抄録

博士論文

09622

博士(工学)

1991-03-14

大阪大学

14401乙第05391号

目次

  1. CONTENTS / p5 (0005.jp2)
  2. Preface / p1 (0003.jp2)
  3. Acknowledgments / p4 (0005.jp2)
  4. 1. Introduction / p1 (0007.jp2)
  5. 1-1. Low energy plasma etching / p1 (0007.jp2)
  6. 1-2. Purpose of this work / p2 (0008.jp2)
  7. References / p4 (0009.jp2)
  8. 2. Electron beam excited plasma (EBEP) system / p7 (0010.jp2)
  9. 2-1. Introduction / p7 (0010.jp2)
  10. 2-2. EBEP system / p8 (0011.jp2)
  11. 2-3. Performances of EBEP system / p10 (0012.jp2)
  12. 2-4. Comparison between EBEP and ECR systems / p13 (0013.jp2)
  13. 2-5. Summary / p14 (0014.jp2)
  14. References / p15 (0014.jp2)
  15. 3. Low energy plasma etching of GaAs and Si / p17 (0015.jp2)
  16. 3-1. Introduction / p17 (0015.jp2)
  17. 3-2. Etching performances / p18 (0016.jp2)
  18. 3-3. Variables controlling etching / p26 (0020.jp2)
  19. 3-4. Etching mechanism / p30 (0022.jp2)
  20. 3-5. Summary / p32 (0023.jp2)
  21. References / p34 (0024.jp2)
  22. 4. Characterization of etched samples / p36 (0025.jp2)
  23. 4-1. Introduction / p36 (0025.jp2)
  24. 4-2. Photoluminescence / p37 (0025.jp2)
  25. 4-3. I-V and C-V characteristics / p40 (0027.jp2)
  26. 4-4. Deep level transient spectroscopy / p43 (0028.jp2)
  27. 4-5. Summary / p57 (0035.jp2)
  28. References / p58 (0036.jp2)
  29. 5. LPE growth of AlGaAs and AlGaAs/GaAs laser diodes / p60 (0037.jp2)
  30. 5-1. Introduction / p60 (0037.jp2)
  31. 5-2. LPE growth of AlGaAs / p62 (0038.jp2)
  32. 5-3. Doping characteristics / p64 (0039.jp2)
  33. 5-4. Interfaces of AlGaAs/GaAs heterostructures / p67 (0040.jp2)
  34. 5-5. Laser diodes and laser array / p69 (0041.jp2)
  35. 5-6. Summary / p79 (0046.jp2)
  36. References / p80 (0047.jp2)
  37. 6. Application of low energy plasma etching / p83 (0048.jp2)
  38. 6-1. Introduction / p83 (0048.jp2)
  39. 6-2. Equi-rate etching of AlGaAs / p85 (0049.jp2)
  40. 6-3. Laser diodes with mirror made by CI₂ RIBE / p88 (0051.jp2)
  41. 6-4. Summary / p94 (0054.jp2)
  42. References / p95 (0054.jp2)
  43. 7. Conclusions / p97 (0055.jp2)
  44. List of published papers / p100 (0057.jp2)
  45. RÉSUMÉ / p105 (0059.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000075988
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000076189
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000240302
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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