熱及び光CVD窒化シリコン膜のMNOS半導体不揮発性記憶素子への応用に関する研究

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著者

    • 金, 泰弘 キム, テーホン

書誌事項

タイトル

熱及び光CVD窒化シリコン膜のMNOS半導体不揮発性記憶素子への応用に関する研究

著者名

金, 泰弘

著者別名

キム, テーホン

学位授与大学

日本大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第2006号

学位授与年月日

1991-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1-1 緒論 / p1 (0005.jp2)
  4. 1-2 半導体不揮発性メモリ素子の概要 / p2 (0006.jp2)
  5. 1-3 MNOS構造不揮発性メモリ素子 / p3 (0006.jp2)
  6. 1-4 窒化膜の堆積条件と膜質の変化 / p9 (0009.jp2)
  7. 1-5 窒化膜の電気的特性 / p10 (0010.jp2)
  8. 1-6 本研究の目的 / p13 (0011.jp2)
  9. 第2章 絶縁膜の作成方法 / p14 (0012.jp2)
  10. 2-1 緒論 / p14 (0012.jp2)
  11. 2-2 窒化膜の堆積方法 / p14 (0012.jp2)
  12. 2-3 酸化膜の成長方法 / p19 (0014.jp2)
  13. 2-4 MNOS構造の作成方法 / p20 (0015.jp2)
  14. 第3章 窒化シリコン膜の堆積と膜質の評価 / p24 (0017.jp2)
  15. 3-1 緒論 / p24 (0017.jp2)
  16. 3-2 測定方法 / p24 (0017.jp2)
  17. 3-3 熱CVD法による窒化シリコン膜の作成と膜質の評価 / p26 (0018.jp2)
  18. 3-4 光CVD法による窒化シリコン膜の堆積と膜質の評価 / p37 (0023.jp2)
  19. 3-5 光CVD法及び熱CVD法によって堆積した窒化膜の比較検討 / p51 (0030.jp2)
  20. 3-6 結論 / p53 (0031.jp2)
  21. 第4章 MNOS構造不揮発性メモリ素子のメモリ特性の評価 / p54 (0032.jp2)
  22. 4-1 緒論 / p54 (0032.jp2)
  23. 4-2 測定方法 / p55 (0032.jp2)
  24. 4-3 熱CVD法により堆積した窒化膜を有するMNOS構造のメモリ特性 / p57 (0033.jp2)
  25. 4-4 光CVD法により堆積した窒化膜を有するMNOS構造のメモリ特性 / p65 (0037.jp2)
  26. 4-5 熱CVD法と光CVD法により作成したMNOS構造のメモリ特性の比較検討 / p71 (0040.jp2)
  27. 4-6 結論 / p72 (0041.jp2)
  28. 第5章 結論 / p73 (0041.jp2)
  29. 5-1 窒化膜質の堆積条件による変化 / p73 (0041.jp2)
  30. 5-2 MNOS構造のメモリ特性 / p74 (0042.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000075997
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000076198
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000240311
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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