イオン注入によるLSI用電極AIにおけるヒロックの抑制とその機構に関する研究

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著者

    • 亀田, 昌宏 カメダ, マサヒロ

書誌事項

タイトル

イオン注入によるLSI用電極AIにおけるヒロックの抑制とその機構に関する研究

著者名

亀田, 昌宏

著者別名

カメダ, マサヒロ

学位授与大学

関西学院大学

取得学位

理学博士

学位授与番号

乙第152号

学位授与年月日

1991-03-20

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 緒論 / p3 (0005.jp2)
  3. 第2章 ヒロック成長の機構とエレクトロマイグレーションに関する一般的考察 / p8 (0010.jp2)
  4. 2-1 緒論 / p8 (0010.jp2)
  5. 2-2 ヒロック発生のメカニズムとその抑制 / p8 (0010.jp2)
  6. 2-3 エレクトロマイグレーションの発生メカニズムとその抑制 / p11 (0013.jp2)
  7. 第3章 イオン注入によるヒロックの抑制 / p15 (0017.jp2)
  8. 3-1 緒論 / p15 (0017.jp2)
  9. 3-2 SEM及びα-STEPによる基本プロセスA1膜の評価 / p15 (0017.jp2)
  10. 3-3 基本プロセスA1薄膜におけるイオン注人効果 / p17 (0019.jp2)
  11. 3-4 考察 / p18 (0020.jp2)
  12. 3-5 結言 / p19 (0021.jp2)
  13. 第4章 イオン注入によるエレクトロマイグレーションの抑制 / p20 (0022.jp2)
  14. 4-1 緒論 / p20 (0022.jp2)
  15. 4-2 実験結果 / p20 (0022.jp2)
  16. 4-3 考察 / p22 (0024.jp2)
  17. 4-4 結言 / p22 (0024.jp2)
  18. 第5章 イオン注入したA1(Si)膜の物性とその電気的特性 / p24 (0026.jp2)
  19. 5-1 緒論 / p24 (0026.jp2)
  20. 5-2 注入されたイオンの挙動 / p24 (0026.jp2)
  21. 5-3 A1(Si)膜の構造変化 / p26 (0028.jp2)
  22. 5-4 A1(Si)膜の電気物性 / p29 (0031.jp2)
  23. 5-5 結言 / p34 (0036.jp2)
  24. 第6章 ヒロック抑制とエレクトロマイグレーション向上のメカニズム / p37 (0039.jp2)
  25. 6-1 緒論 / p37 (0039.jp2)
  26. 6-2 ヒロック抑制のメカニズム / p38 (0040.jp2)
  27. 6-3 A1(si)膜表面構造変化とイオン注入の関係 / p39 (0041.jp2)
  28. 6-4 エレクトロマイグレーション抵抗向上のメカニズム / p43 (0045.jp2)
  29. 第7章 結論 / p45 (0047.jp2)
  30. 添付図面 / p47 (0049.jp2)
  31. 参考文献 / p97 (0099.jp2)
  32. 謝辞 / p102 (0104.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000076484
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000076687
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000240798
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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