イオン注入によるLSI用電極AIにおけるヒロックの抑制とその機構に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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イオン注入によるLSI用電極AIにおけるヒロックの抑制とその機構に関する研究
- 著者名
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亀田, 昌宏
- 著者別名
-
カメダ, マサヒロ
- 学位授与大学
-
関西学院大学
- 取得学位
-
理学博士
- 学位授与番号
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乙第152号
- 学位授与年月日
-
1991-03-20
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 緒論 / p3 (0005.jp2)
- 第2章 ヒロック成長の機構とエレクトロマイグレーションに関する一般的考察 / p8 (0010.jp2)
- 2-1 緒論 / p8 (0010.jp2)
- 2-2 ヒロック発生のメカニズムとその抑制 / p8 (0010.jp2)
- 2-3 エレクトロマイグレーションの発生メカニズムとその抑制 / p11 (0013.jp2)
- 第3章 イオン注入によるヒロックの抑制 / p15 (0017.jp2)
- 3-1 緒論 / p15 (0017.jp2)
- 3-2 SEM及びα-STEPによる基本プロセスA1膜の評価 / p15 (0017.jp2)
- 3-3 基本プロセスA1薄膜におけるイオン注入効果 / p17 (0019.jp2)
- 3-4 考察 / p18 (0020.jp2)
- 3-5 結言 / p19 (0021.jp2)
- 第4章 イオン注入によるエレクトロマイグレーションの抑制 / p20 (0022.jp2)
- 4-1 緒論 / p20 (0022.jp2)
- 4-2 実験結果 / p20 (0022.jp2)
- 4-3 考察 / p22 (0024.jp2)
- 4-4 結言 / p22 (0024.jp2)
- 第5章 イオン注入したA1(Si)膜の物性とその電気的特性 / p24 (0026.jp2)
- 5-1 緒論 / p24 (0026.jp2)
- 5-2 注入されたイオンの挙動 / p24 (0026.jp2)
- 5-3 A1(Si)膜の構造変化 / p26 (0028.jp2)
- 5-4 A1(Si)膜の電気物性 / p29 (0031.jp2)
- 5-5 結言 / p34 (0036.jp2)
- 第6章 ヒロック抑制とエレクトロマイグレーション向上のメカニズム / p37 (0039.jp2)
- 6-1 緒論 / p37 (0039.jp2)
- 6-2 ヒロック抑制のメカニズム / p38 (0040.jp2)
- 6-3 A1(si)膜表面構造変化とイオン注入の関係 / p39 (0041.jp2)
- 6-4 エレクトロマイグレーション抵抗向上のメカニズム / p43 (0045.jp2)
- 第7章 結論 / p45 (0047.jp2)
- 添付図面 / p47 (0049.jp2)
- 参考文献 / p97 (0099.jp2)
- 謝辞 / p102 (0104.jp2)