半導体ダイヤモンド薄膜の低圧気相合成とpn接合ダイオードの製作に関する基礎研究

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著者

    • 岡野, 健 オカノ, ケン

書誌事項

タイトル

半導体ダイヤモンド薄膜の低圧気相合成とpn接合ダイオードの製作に関する基礎研究

著者名

岡野, 健

著者別名

オカノ, ケン

学位授与大学

東海大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第144号

学位授与年月日

1991-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 博士論文目次 / (0003.jp2)
  2. 第一章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 第二章 アンドープダイヤモンド薄膜の合成 / p7 (0011.jp2)
  4. 2-1 薄膜の合成方法および条件 / p7 (0011.jp2)
  5. 2-2 薄膜の結晶学的評価 / p9 (0013.jp2)
  6. 2-3 結言 / p20 (0024.jp2)
  7. 参考文献 / p21 (0025.jp2)
  8. 第三章 p型半導体ダイヤモンド薄膜の合成 / p22 (0026.jp2)
  9. 3-1 薄膜への不純物添加方法 / p22 (0026.jp2)
  10. 3-2 薄膜の結晶学的評価 / p23 (0027.jp2)
  11. 3-3 薄膜の電気的特性 / p39 (0043.jp2)
  12. 3-4 結言 / p52 (0056.jp2)
  13. 参考文献 / p53 (0057.jp2)
  14. 第四章 n型半導体ダイヤモンド薄膜の合成 / p54 (0058.jp2)
  15. 4-1 薄膜への不純物添加方法 / p54 (0058.jp2)
  16. 4-2 薄膜の結晶学的評価 / p55 (0059.jp2)
  17. 4-3 薄膜の電気的特性 / p63 (0067.jp2)
  18. 4-4 結言 / p67 (0071.jp2)
  19. 参考文献 / p67 (0071.jp2)
  20. 第五章 半導体ダイヤモンド薄膜を用いたpn接合ダイオードの作製 / p69 (0073.jp2)
  21. 5-1 作製方法および試料構造 / p69 (0073.jp2)
  22. 5-2 電気的特性 / p72 (0076.jp2)
  23. 5-3 結言 / p92 (0096.jp2)
  24. 参考文献 / p92 (0096.jp2)
  25. 第六章 結論 / p94 (0098.jp2)
  26. 謝辞 / p98 (0102.jp2)
  27. 付録 / p99 (0103.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000076559
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000076762
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000240873
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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