半導体ダイヤモンド薄膜の低圧気相合成とpn接合ダイオードの製作に関する基礎研究
この論文にアクセスする
この論文をさがす
著者
書誌事項
- タイトル
-
半導体ダイヤモンド薄膜の低圧気相合成とpn接合ダイオードの製作に関する基礎研究
- 著者名
-
岡野, 健
- 著者別名
-
オカノ, ケン
- 学位授与大学
-
東海大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第144号
- 学位授与年月日
-
1991-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 博士論文目次 / (0003.jp2)
- 第一章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 第二章 アンドープダイヤモンド薄膜の合成 / p7 (0011.jp2)
- 2-1 薄膜の合成方法および条件 / p7 (0011.jp2)
- 2-2 薄膜の結晶学的評価 / p9 (0013.jp2)
- 2-3 結言 / p20 (0024.jp2)
- 参考文献 / p21 (0025.jp2)
- 第三章 p型半導体ダイヤモンド薄膜の合成 / p22 (0026.jp2)
- 3-1 薄膜への不純物添加方法 / p22 (0026.jp2)
- 3-2 薄膜の結晶学的評価 / p23 (0027.jp2)
- 3-3 薄膜の電気的特性 / p39 (0043.jp2)
- 3-4 結言 / p52 (0056.jp2)
- 参考文献 / p53 (0057.jp2)
- 第四章 n型半導体ダイヤモンド薄膜の合成 / p54 (0058.jp2)
- 4-1 薄膜への不純物添加方法 / p54 (0058.jp2)
- 4-2 薄膜の結晶学的評価 / p55 (0059.jp2)
- 4-3 薄膜の電気的特性 / p63 (0067.jp2)
- 4-4 結言 / p67 (0071.jp2)
- 参考文献 / p67 (0071.jp2)
- 第五章 半導体ダイヤモンド薄膜を用いたpn接合ダイオードの作製 / p69 (0073.jp2)
- 5-1 作製方法および試料構造 / p69 (0073.jp2)
- 5-2 電気的特性 / p72 (0076.jp2)
- 5-3 結言 / p92 (0096.jp2)
- 参考文献 / p92 (0096.jp2)
- 第六章 結論 / p94 (0098.jp2)
- 謝辞 / p98 (0102.jp2)
- 付録 / p99 (0103.jp2)