半導体のヘテロ接合に関する研究 handotai no hetero setsugo ni kansuru kenkyu

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博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:甲849号 ; 学位の種類:工学博士 ; 授与年月日:1990-10-18 ; 早大学位記番号:新1642 ; 理工学図書館請求番号:1402

目次 / (0003.jp2)
第1章序論 / p1 (0005.jp2)
1.1 半導体のヘテロ接合 / p1 (0005.jp2)
1.2 研究の目的と論文の概要 / p5 (0009.jp2)
第2章化合物半導体薄膜の成長 / p8 (0013.jp2)
2.1 スパッタ法による膜形成 / p8 (0013.jp2)
2.2 スパッタ法によるGaP薄膜の成長 / p16 (0021.jp2)
2.3 GaP膜の評価とヘテロ接合の電気的性質 / p20 (0025.jp2)
2.4 スパッタイオンの検出 / p34 (0039.jp2)
2.5 イオンビーム･スパッタ法によるGaP膜の成長 / p40 (0045.jp2)
第3章ヘテロ界面の格子の変形と基板の変形 / p47 (0053.jp2)
3.1 基板変形の既往の研究 / p47 (0053.jp2)
3.2 GaP基板へのSi膜の成長 / p49 (0055.jp2)
3.3 X線トポグラフによる観察 / p50 (0056.jp2)
3.4 基板の格子変形 / p58 (0064.jp2)
3.5 エピタキシャル膜の格子変形 / p69 (0075.jp2)
3.6 ヘテロ構造における格子の変形 / p75 (0081.jp2)
第4章ヘテロ接合のデバイスへの応用 / p78 (0085.jp2)
4.1 ヘテロバイポーラ･トランジスタ / p79 (0086.jp2)
4.2 Ge/GaAsヘテロ接合 / p81 (0088.jp2)
4.3 Si/GaPヘテロ接合 / p94 (0101.jp2)
4.4 Bイオンによる活性領域の制限 / p100 (0107.jp2)
4.5 ヘテロ接合の特性 / p104 (0111.jp2)
第5章結論 / p106 (0114.jp2)
5.1 研究成果の総括 / p106 (0114.jp2)
5.2 問題点と将来への展望 / p107 (0115.jp2)
謝辞 / p109 (0117.jp2)
業績 / p110 (0118.jp2)

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