シリコンの固相エピタキシャル成長に関する研究 shirikon no koso epitakisharu seicho ni kansuru kenkyu

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著者

    • 上野, 智雄 ウエノ, トモオ

書誌事項

タイトル

シリコンの固相エピタキシャル成長に関する研究

タイトル別名

shirikon no koso epitakisharu seicho ni kansuru kenkyu

著者名

上野, 智雄

著者別名

ウエノ, トモオ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第865号

学位授与年月日

1991-03-15

注記・抄録

博士論文

目次

  1. [目次] / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1.1 エピタキシャル成長の必要性 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.2 固相エピタキシャル成長の利点と問題点 / p1 (0007.jp2)
  5. 1.3 本研究の概要と意義 / p3 (0009.jp2)
  6. 第1章の参考文献 / p4 (0010.jp2)
  7. 第2章 研究の方法 / p5 (0011.jp2)
  8. 2.1 固相エピタキシャル成長膜作成の方法 / p5 (0011.jp2)
  9. 2.2 透過型電子顕微鏡観察法 / p12 (0018.jp2)
  10. 2.3 走査型電子顕微鏡観察法 / p23 (0029.jp2)
  11. 2.4 ラマン分光法 / p26 (0032.jp2)
  12. 2.5 結晶模型を用いた歪評価 / p31 (0037.jp2)
  13. 第2章の参考文献 / p36 (0042.jp2)
  14. 第3章 横方向固相エピタキシャル成長距離を制限する要因 / p38 (0044.jp2)
  15. 3.1 本章の目的 / p38 (0044.jp2)
  16. 3.2 {111}ファセット形成の機構 / p38 (0044.jp2)
  17. 3.3 {111}ファセット形成の非晶質シリコン膜厚依存性 / p55 (0061.jp2)
  18. 3.4 成長距離を制限する要因に関する考察 / p73 (0079.jp2)
  19. 3.5 本章の結論 / p90 (0096.jp2)
  20. 第3章の参考文献 / p91 (0097.jp2)
  21. 第4章 三相(結晶シリコン,非晶質シリコン,SiO₂)境界での双晶の形成 / p92 (0098.jp2)
  22. 4.1 本章の目的 / p92 (0098.jp2)
  23. 4.2 微小双晶周辺での原子配列 / p94 (0100.jp2)
  24. 4.3 微小双晶の界面局在化の機構 / p103 (0109.jp2)
  25. 4.4 微小双晶周辺部での歪場の発生 / p107 (0113.jp2)
  26. 4.5 本章の結論 / p116 (0122.jp2)
  27. 第4章の参考文献 / p117 (0123.jp2)
  28. 第5章 縦方向固相エピタキシャル成長における酸素の影響 / p118 (0124.jp2)
  29. 5.1 本章の目的 / p118 (0124.jp2)
  30. 5.2 界面残留酸化物による転位の形成 / p118 (0124.jp2)
  31. 5.3 Si(111)-7x7基板上での縦方向固相エピタキシャル成長 / p136 (0142.jp2)
  32. 5.4 本章の結論 / p145 (0151.jp2)
  33. 第5章の参考文献 / p146 (0152.jp2)
  34. 第6章 結論 / p147 (0153.jp2)
  35. 謝辞 / p150 (0156.jp2)
  36. 研究業績 / p151 (0157.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000076602
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000076805
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000240916
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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