多結晶シリコン薄膜トランジスタの高性能化に関する研究 takessho shirikon hakumaku toranjisuta no koseinoka ni kansuru kenkyu
Access this Article
Search this Article
Author
Bibliographic Information
- Title
-
多結晶シリコン薄膜トランジスタの高性能化に関する研究
- Other Title
-
takessho shirikon hakumaku toranjisuta no koseinoka ni kansuru kenkyu
- Author
-
関, 俊司
- Author(Another name)
-
セキ, シュンジ
- University
-
早稲田大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
乙第798号
- Degree year
-
1990-10-18
Note and Description
博士論文
制度:新 ; 文部省報告番号:乙798号 ; 学位の種類:工学博士 ; 授与年月日:1990-10-18 ; 早大学位記番号:新1652 ; 理工学図書館請求番号:1413
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 従来の研究経過と本研究の目的 / p4 (0007.jp2)
- 1.3 論文の構成 / p7 (0008.jp2)
- 参考文献 / p8 (0009.jp2)
- 第2章 シリコン薄膜の再結品化と電気特性 / p11 (0010.jp2)
- 2.1 諸言 / p11 (0010.jp2)
- 2.2 多結品シリコン薄膜トランジスタの動作機構 / p13 (0011.jp2)
- 2.3 Poly-Si TFTの動作特性解析 / p17 (0013.jp2)
- 2.4 水素化多結晶シリコンの伝導機構 / p33 (0021.jp2)
- 2.5 要約 / p49 (0029.jp2)
- 参考文献 / p51 (0030.jp2)
- 第3章 多結晶シリコン薄膜トランジスタの高性能化 / p52 (0031.jp2)
- 3.1 緒言 / p52 (0031.jp2)
- 3.2 多結晶シリコン薄膜中の不純物拡散 / p53 (0031.jp2)
- 3.3 LDD構造多結晶シリコン薄膜トランジスタの動作特性解析 / p59 (0034.jp2)
- 3.4 多結晶シリコン薄膜トランジスタのリーグ電流に関するモデル / p70 (0040.jp2)
- 3.5 LDD構造Poly-Si TFTの最適設計 / p81 (0045.jp2)
- 3.6 要約 / p85 (0047.jp2)
- 参考文献 / p87 (0048.jp2)
- 第4章 Ta₂O₅薄膜の高品質化 / p88 (0049.jp2)
- 4.1 諸言 / p88 (0049.jp2)
- 4.2 スパッタリング法によって形成したTa₂O₅薄膜の誘電特性 / p90 (0050.jp2)
- 4.3 スパッタリング法によって形成したTa₂O₅薄膜中の捕獲準位密度 / p95 (0052.jp2)
- 4.4 Si上におけるTa₂O₅薄膜の形成機構 / p111 (0060.jp2)
- 4.5 要約 / p130 (0070.jp2)
- 参考文献 / p131 (0070.jp2)
- 第5章 Ta₂0₅薄膜のPoly-Si TFT への応用 / p132 (0071.jp2)
- 5.1 諸言 / p132 (0071.jp2)
- 5.2 Ta₂O₅/Si界面電気特性 / p133 (0071.jp2)
- 5.3 Si上に形成したTa₂O₅薄膜の電気伝導特性 / p146 (0078.jp2)
- 5.4 Ta₂O₅薄膜の微細加工方法 / p151 (0080.jp2)
- 5.5 Poly-Si TFT への応用 / p158 (0084.jp2)
- 5.6 要約 / p163 (0086.jp2)
- 参考文献 / p165 (0087.jp2)
- 第6章 結論 / p166 (0088.jp2)
- 謝辞 / p172 (0091.jp2)
- 本研究に関する発表論文 / p173 (0091.jp2)
