化合物半導体を用いたMESFET及びICの高性能化に関する研究 kagobutsu handotai o mochiita emuiesuefuiti oyobi aishi no koseinoka ni kansuru kenkyu

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著者

    • 今井, 祐記 イマイ, ユウキ

書誌事項

タイトル

化合物半導体を用いたMESFET及びICの高性能化に関する研究

タイトル別名

kagobutsu handotai o mochiita emuiesuefuiti oyobi aishi no koseinoka ni kansuru kenkyu

著者名

今井, 祐記

著者別名

イマイ, ユウキ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第815号

学位授与年月日

1991-03-07

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 MESFETの性能指数 / p3 (0006.jp2)
  5. 1.3 GaAsICの応用分野 / p4 (0007.jp2)
  6. 1.4 本研究の目的および概要 / p4 (0007.jp2)
  7. 1.5 用語および記号の説明 / p10 (0010.jp2)
  8. 第1章の参考文献 / p12 (0011.jp2)
  9. 第2章 MESFETの極短ゲート長化・低ゲート抵抗化 / p13 (0011.jp2)
  10. 2.1 まえがき / p13 (0011.jp2)
  11. 2.2 ゲート電極の構造・製作法 / p13 (0011.jp2)
  12. 2.3 MESFETの試作 / p18 (0014.jp2)
  13. 2.4 まとめ / p20 (0015.jp2)
  14. 第2章の参考文献 / p31 (0020.jp2)
  15. 第3章 GaAsのドライエッチングを用いたリセスゲートMESFET / p32 (0021.jp2)
  16. 3.1 まえがき / p32 (0021.jp2)
  17. 3.2 リセスゲート構造による低ソース抵抗化 / p32 (0021.jp2)
  18. 3.3 従来のリセスゲート構造FETの製作法と問題点 / p36 (0023.jp2)
  19. 3.4 リセスエッチングのドライエッチング化 / p39 (0025.jp2)
  20. 3.5 セルフアライン型リセスゲートMESFET / p53 (0032.jp2)
  21. 3.6 まとめ / p66 (0038.jp2)
  22. 第3章の参考文献 / p67 (0039.jp2)
  23. 第4章 InPを用いたMESFET / p69 (0040.jp2)
  24. 4.1 まえがき / p69 (0040.jp2)
  25. 4.2 lnPとGaAsの電気的特性の比較 / p69 (0040.jp2)
  26. 4.3 lnP-MESFETの製作法 / p71 (0041.jp2)
  27. 4.4 lnP-MESFETの試作 / p76 (0044.jp2)
  28. 4.5 InPショットキー接台の逆方向電流の低減法 / p80 (0046.jp2)
  29. 4.6 まとめ / p90 (0051.jp2)
  30. 第4章の参考文献 / p96 (0054.jp2)
  31. 第5章 GaAsモノリシック増幅器ICの広帯域化 / p98 (0055.jp2)
  32. 5.1 まえがき / p98 (0055.jp2)
  33. 5.2 MESFETモデル / p98 (0055.jp2)
  34. 5.3 光伝送通信用の増幅器の構成と要求条件 / p108 (0060.jp2)
  35. 5.4 回路構成および設計法 / p108 (0060.jp2)
  36. 5.5 試作結果 / p123 (0068.jp2)
  37. 5.6 超広帯域前置増幅器IC / p128 (0070.jp2)
  38. 5.7 まとめ / p132 (0072.jp2)
  39. 第5章の参考文献 / p136 (0074.jp2)
  40. 第6章 GaAsモノリシックマイクロ波帯ICの低消費電流化 / p138 (0075.jp2)
  41. 6.1 まえがき / p138 (0075.jp2)
  42. 6.2 携帯無線用受信部回路の構成および要求条件 / p138 (0075.jp2)
  43. 6.3 回路構成 / p138 (0075.jp2)
  44. 6.4 ICレイアウト / p149 (0081.jp2)
  45. 6.5 IC試作結果 / p149 (0081.jp2)
  46. 6.6 まとめ / p160 (0086.jp2)
  47. 第6章の参考文献 / p161 (0087.jp2)
  48. 第7章 結論 / p163 (0088.jp2)
  49. 謝辞 / p168 (0091.jp2)
  50. 研究業績 / p169 (0092.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000076653
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000076856
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000240967
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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