レーザー再結晶化法による非晶質絶縁膜上への単結晶シリコン成長に関する研究 reza saikesshokaho ni yoru hishoshitsu zetsuenmakujo eno tankessho shirikon seicho ni kansuru kenkyu
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Bibliographic Information
- Title
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レーザー再結晶化法による非晶質絶縁膜上への単結晶シリコン成長に関する研究
- Other Title
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reza saikesshokaho ni yoru hishoshitsu zetsuenmakujo eno tankessho shirikon seicho ni kansuru kenkyu
- Author
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小椋, 厚志
- Author(Another name)
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オグラ, アツシ
- University
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早稲田大学
- Types of degree
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工学博士
- Grant ID
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乙第816号
- Degree year
-
1991-03-07
Note and Description
博士論文
制度:新 ; 文部省報告番号:乙816号 ; 学位の種類:工学博士 ; 授与年月日:1991-03-07 ; 早大学位記番号:新1701 ; 理工学図書館請求番号:1456
Table of Contents
- 目次 / (0002.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
- 1.1 絶縁体上への単結晶Si成長技術(SOI)の必要性 / p1 (0004.jp2)
- 1.2 SOI形成技術に関する従来の研究 / p2 (0005.jp2)
- 1.3 従来のSOI研究で未解決の課題 / p3 (0005.jp2)
- 1.4 本研究の目的 / p4 (0006.jp2)
- 1.5 本論文の概要 / p4 (0006.jp2)
- 第1章の参考文献 / p7 (0007.jp2)
- 第2章 SOI積層構造における熱的問題の解決 / p9 (0008.jp2)
- 2.1 解決すべき熱的問題 / p9 (0008.jp2)
- 2.2 レーザ再結晶化SOI中の残留応力の低減 / p10 (0009.jp2)
- 2.3 上層SOI形成が下層の結晶性に与える影響 / p17 (0012.jp2)
- 2.4 下層デバイスが上層SOI形成に与える影響 / p19 (0013.jp2)
- 2.5 層間干渉の低減方法に関する提案 / p22 (0015.jp2)
- 第2章の参考文献 / p46 (0027.jp2)
- 第3章 SOI/Si0₂界面構造の評価 / p47 (0027.jp2)
- 3.1 界面評価の必要性 / p47 (0027.jp2)
- 3.2 SOI/Si0₂界面構造の結晶方位依存性 / p47 (0027.jp2)
- 3.3 他の方法で形成したSOI/Si0₂界面構造との比較 / p50 (0029.jp2)
- 3.4 SOI中への結晶欠陥の発生と界面構造の変化 / p51 (0029.jp2)
- 第3章の参考文献 / p61 (0034.jp2)
- 第4章 S0I/Si0₂界面の再構築メカニズムに関する考察 / p63 (0035.jp2)
- 4.1 酸化後高温熱処理によるSi/Si0₂界面構造の変化 / p63 (0035.jp2)
- 4.2 Si/SiO₂界面における界面反応に関する考察 / p67 (0037.jp2)
- 4.3 Si/SiO₂界面における界面エネルギーに関する考察 / p68 (0038.jp2)
- 4.4 SOI/Si0₂界面の再構築メカニズムに関する考察 / p69 (0038.jp2)
- 4.5 SOI中への結晶欠陥の発生メカニズムに関する考察 / p69 (0038.jp2)
- 第4章の参考文献 / p81 (0044.jp2)
- 第5章 SOI種無し結晶方位制御のメカニズムの解明 / p83 (0045.jp2)
- 5.1 種無し結晶方位制御の必要性 / p83 (0045.jp2)
- 5.2(100)配向性多結晶Siの固相結晶粒成長 / p84 (0046.jp2)
- 5.3 非晶質上でのGeの固相結晶粒成長と結晶方位制御 / p87 (0047.jp2)
- 5.4 固相結晶粒成長における結晶方位制御のメカニズムに関する考察 / p90 (0049.jp2)
- 5.5 レーザ再結晶化SOIの種無し結晶方位制御への指針 / p91 (0049.jp2)
- 第5章の参考文献 / p103 (0055.jp2)
- 第6章 2ステップレーザアニール法によるSOIの種無し結晶方位制御 / p105 (0056.jp2)
- 6.1 SOI結晶方位の精密測定方法の開発 / p105 (0056.jp2)
- 6.2 2ステップレーザアニール法の概念 / p106 (0057.jp2)
- 6.3 人工的な(100)種結晶の形成 / p107 (0057.jp2)
- 6.4 人工的種結晶を用いた大面積SOIの形成 / p108 (0058.jp2)
- 6.5 2ステップレーザアニール法における面内方位の分布 / p109 (0058.jp2)
- 第6章の参考文献 / p129 (0068.jp2)
- 第7章 結論 / p130 (0069.jp2)
- 7.1 本研究の要約 / p130 (0069.jp2)
- 7.2 今後の課題 / p132 (0070.jp2)
- 第7章の参考文献 / p137 (0072.jp2)
- 謝辞 / p138 (0073.jp2)
- 発表論文リスト / p139 (0073.jp2)
