角度分解紫外光電子分光法によるSi(001)面の清浄および吸着表面の研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
角度分解紫外光電子分光法によるSi(001)面の清浄および吸着表面の研究
- 著者名
-
遠田, 義晴
- 著者別名
-
エンタ, ヨシハル
- 学位授与大学
-
東北大学
- 取得学位
-
理学博士
- 学位授与番号
-
甲第4303号
- 学位授与年月日
-
1991-03-28
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第一章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1-1 緒言 / p1 (0005.jp2)
- 1-2 角度分解紫外光電子分光法 / p2 (0006.jp2)
- 1-3 本研究で対象とした表面とその研究背景 / p4 (0008.jp2)
- 1-4 本研究の目的 / p6 (0010.jp2)
- 第二章 実験方法 / p7 (0011.jp2)
- 2-1 角度分解紫外光電子分光法の原理 / p7 (0011.jp2)
- 2-2 実験装置 / p11 (0015.jp2)
- 2-3 試料ホルダーの製作 / p19 (0023.jp2)
- 2-4 分析器及び試料の仕事関数の測定方法 / p25 (0029.jp2)
- 2-5 表面電子状態の同定 / p25 (0029.jp2)
- 第三章 試料表面の作成 / p27 (0031.jp2)
- 3-1 シングルドメイン構造 / p27 (0031.jp2)
- 3-2 シングルドメインSi(001)2×1清浄表面の作成方法 / p30 (0034.jp2)
- 3-3 他の試料表面の作成方法 / p34 (0038.jp2)
- 3-4 表面周期性の表記､表面ブリルアンゾーン､及び試料の仕事関数 / p35 (0039.jp2)
- 第四章 Si(001)清浄表面の電子状態 / p38 (0042.jp2)
- 4-1 Si(001)2×1及びc(4×2)清浄表面 / p38 (0042.jp2)
- 4-2 Si(001)2×8清浄表面 / p73 (0077.jp2)
- 第五章 Si(001)-アルカリ金属吸着表面の電子状態 / p82 (0086.jp2)
- 5-1 全体の研究背景 / p82 (0086.jp2)
- 5-2 Si(001)2×1-K飽和吸着表面 / p88 (0092.jp2)
- 5-3 Si(001)2×1-Na及び2×1-Cs飽和吸着表面 / p109 (0113.jp2)
- 5-4 Si(001)-アルカリ金属飽和吸着表面のまとめ / p125 (0129.jp2)
- 5-5 0/Cs/Si(001)2×1NEA表面及び0/K/Si(001)2×1NEA表面 / p127 (0131.jp2)
- 5-6 アルカリ金属/Si(001)表面の吸着量依存性 / p137 (0141.jp2)
- 第六章 Si(001)-Ga吸着表面の電子状態 / p155 (0159.jp2)
- 6-1 研究背景 / p155 (0159.jp2)
- 6-2 実験結果 / p158 (0162.jp2)
- 6-3 考察とまとめ / p167 (0171.jp2)
- 第七章 本研究の総括 / p172 (0176.jp2)
- 第八章 今後の課題と展望 / p175 (0179.jp2)
- 謝辞 / p178 (0182.jp2)
- 引用文献 / p179 (0183.jp2)
- 参考論文 / (0189.jp2)
- 発表論文リスト / (0190.jp2)
- 発表論文 / (0190.jp2)