角度分解紫外光電子分光法によるSi(001)面の清浄および吸着表面の研究

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著者

    • 遠田, 義晴 エンタ, ヨシハル

書誌事項

タイトル

角度分解紫外光電子分光法によるSi(001)面の清浄および吸着表面の研究

著者名

遠田, 義晴

著者別名

エンタ, ヨシハル

学位授与大学

東北大学

取得学位

理学博士

学位授与番号

甲第4303号

学位授与年月日

1991-03-28

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第一章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1-1 緒言 / p1 (0005.jp2)
  4. 1-2 角度分解紫外光電子分光法 / p2 (0006.jp2)
  5. 1-3 本研究で対象とした表面とその研究背景 / p4 (0008.jp2)
  6. 1-4 本研究の目的 / p6 (0010.jp2)
  7. 第二章 実験方法 / p7 (0011.jp2)
  8. 2-1 角度分解紫外光電子分光法の原理 / p7 (0011.jp2)
  9. 2-2 実験装置 / p11 (0015.jp2)
  10. 2-3 試料ホルダーの製作 / p19 (0023.jp2)
  11. 2-4 分析器及び試料の仕事関数の測定方法 / p25 (0029.jp2)
  12. 2-5 表面電子状態の同定 / p25 (0029.jp2)
  13. 第三章 試料表面の作成 / p27 (0031.jp2)
  14. 3-1 シングルドメイン構造 / p27 (0031.jp2)
  15. 3-2 シングルドメインSi(001)2×1清浄表面の作成方法 / p30 (0034.jp2)
  16. 3-3 他の試料表面の作成方法 / p34 (0038.jp2)
  17. 3-4 表面周期性の表記、表面ブリルアンゾーン、及び試料の仕事関数 / p35 (0039.jp2)
  18. 第四章 Si(001)清浄表面の電子状態 / p38 (0042.jp2)
  19. 4-1 Si(001)2×1及びc(4×2)清浄表面 / p38 (0042.jp2)
  20. 4-2 Si(001)2×8清浄表面 / p73 (0077.jp2)
  21. 第五章 Si(001)-アルカリ金属吸着表面の電子状態 / p82 (0086.jp2)
  22. 5-1 全体の研究背景 / p82 (0086.jp2)
  23. 5-2 Si(001)2×1-K飽和吸着表面 / p88 (0092.jp2)
  24. 5-3 Si(001)2×1-Na及び2×1-Cs飽和吸着表面 / p109 (0113.jp2)
  25. 5-4 Si(001)-アルカリ金属飽和吸着表面のまとめ / p125 (0129.jp2)
  26. 5-5 0/Cs/Si(001)2×1NEA表面及び0/K/Si(001)2×1NEA表面 / p127 (0131.jp2)
  27. 5-6 アルカリ金属/Si(001)表面の吸着量依存性 / p137 (0141.jp2)
  28. 第六章 Si(001)-Ga吸着表面の電子状態 / p155 (0159.jp2)
  29. 6-1 研究背景 / p155 (0159.jp2)
  30. 6-2 実験結果 / p158 (0162.jp2)
  31. 6-3 考察とまとめ / p167 (0171.jp2)
  32. 第七章 本研究の総括 / p172 (0176.jp2)
  33. 第八章 今後の課題と展望 / p175 (0179.jp2)
  34. 謝辞 / p178 (0182.jp2)
  35. 引用文献 / p179 (0183.jp2)
  36. 参考論文 / (0189.jp2)
  37. 発表論文リスト / (0190.jp2)
  38. 発表論文 / (0190.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000076683
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000076886
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000240997
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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