金属半導体接合及び超LSI用金属配線に関する研究

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著者

    • 桑原, 英司 クワバラ, ヒデジ

書誌事項

タイトル

金属半導体接合及び超LSI用金属配線に関する研究

著者名

桑原, 英司

著者別名

クワバラ, ヒデジ

学位授与大学

東北大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第4410号

学位授与年月日

1991-03-28

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1-1 LSIの発達 / p1 (0006.jp2)
  4. 1-2 LSIにおけるコンタクト及び金属配線の重要性 / p1 (0006.jp2)
  5. 1-3 本研究の目的 / p2 (0007.jp2)
  6. 参考文献 / p3 (0008.jp2)
  7. 第2章 RF-DC結合バイアススパッタ装置 / p5 (0010.jp2)
  8. 2-1 はじめに / p5 (0010.jp2)
  9. 2-2 低エネルギーイオン照射プロセス / p5 (0010.jp2)
  10. 2-3 RF-DC結合バイアススパッタ装置 / p6 (0011.jp2)
  11. 2-4 まとめ / p16 (0021.jp2)
  12. 参考文献 / p17 (0022.jp2)
  13. 第3章 低エネルギーイオン照射による薄膜の物性制御 / p18 (0023.jp2)
  14. 3-1 はじめに / p18 (0023.jp2)
  15. 3-2 実験方法 / p18 (0023.jp2)
  16. 3-3 結果及び考察 / p19 (0024.jp2)
  17. 3-4 まとめ / p29 (0034.jp2)
  18. 参考文献 / p30 (0035.jp2)
  19. 第4章 純アルミニウム超LSI金属配線 / p31 (0036.jp2)
  20. 4-1 はじめに / p31 (0036.jp2)
  21. 4-2 実験方法 / p31 (0036.jp2)
  22. 4-3 結果及び考察 / p32 (0037.jp2)
  23. 4-4 まとめ / p46 (0051.jp2)
  24. 参考文献 / p47 (0052.jp2)
  25. 第5章 超LSIコンタクトとしての金属/シリコン界面 / p49 (0054.jp2)
  26. 5-1 はじめに / p49 (0054.jp2)
  27. 5-2 自然酸化膜フリープロセス / p49 (0054.jp2)
  28. 5-3 実験方法 / p52 (0057.jp2)
  29. 5-4 結果及び考察 / p54 (0059.jp2)
  30. 5-5 まとめ / p69 (0074.jp2)
  31. 参考文献 / p70 (0075.jp2)
  32. 謝辞 / p72 (0077.jp2)
  33. 本研究に関する発表 / p73 (0078.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000076790
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000076993
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000241104
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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