プラズマプロセスによるZnSeヘテロエピタキシャル成長
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著者
書誌事項
- タイトル
-
プラズマプロセスによるZnSeヘテロエピタキシャル成長
- 著者名
-
山内, 智
- 著者別名
-
ヤマウチ, サトシ
- 学位授与大学
-
東北大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第4418号
- 学位授与年月日
-
1991-03-28
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 第1章の参考文献 / p6 (0013.jp2)
- 第2章 プラズマ･アシステド エピタキシーによるZnSe薄膜の成長法と評価法 / p7 (0014.jp2)
- 2-1 はじめに / p7 (0014.jp2)
- 2-2 薄膜のエピタキシャル成長法 / p7 (0014.jp2)
- 2-3 プラズマ,アシステド エピタキシー(PAE) / p10 (0017.jp2)
- 2-4 プラズマ･アシステド エピタキシー法によるZnSe薄膜の成長法 / p11 (0018.jp2)
- 2-5 ZnSe薄膜の評価方法 / p27 (0034.jp2)
- 2-6 まとめ / p32 (0039.jp2)
- 第2章の参考文献 / p33 (0040.jp2)
- 第3章 ZnSe/GaAsヘテロ界面特性の制御 / p37 (0044.jp2)
- 3-1 はじめに / p37 (0044.jp2)
- 3-2 GaAs表面準位密度分布 / p37 (0044.jp2)
- 3-3 微小詰め込みパルスを用いたDLTSによる界面準位密度分布の測定･解析方法 / p40 (0047.jp2)
- 3-4 ZnSe/GaAsヘテロ界面特性と界面特性の改善 / p44 (0051.jp2)
- 3-7 GaAs基板表面処理のZnSe薄膜の特性に及ぼす影響 / p55 (0062.jp2)
- 3-8 まとめ / p57 (0064.jp2)
- 第3章の参考文献 / p58 (0065.jp2)
- 第4章 高純度ZnSe薄膜の成長 / p60 (0067.jp2)
- 4-1 はじめに / p60 (0067.jp2)
- 4-2 水素ガス流量を制御した高純度ZnSe薄膜の成長 / p60 (0067.jp2)
- 4-3 水素ガス流量を制御して成長したアンドープZnSe薄膜のPL特性 / p68 (0075.jp2)
- 4-4 原料供給比依存性 / p71 (0078.jp2)
- 4-5 残留不純物についての検討 / p74 (0081.jp2)
- 4-6 まとめ / p81 (0088.jp2)
- 第4章の参考文献 / p82 (0089.jp2)
- 第5章 n型ZnSe薄膜の成長 / p87 (0094.jp2)
- 5-1 はじめに / p87 (0094.jp2)
- 5-2 ドナー性不純物の検討 / p87 (0094.jp2)
- 5-3 PAEによるC1-ドープZnSe薄膜の成長 / p89 (0096.jp2)
- 5-4 まとめ / p104 (0111.jp2)
- 第5章の参考文献 / p105 (0112.jp2)
- 第6章 窒素ドープZnSe薄膜の成長 / p108 (0115.jp2)
- 6-1 はじめに / p108 (0115.jp2)
- 6-2 アクセプター性不純物の検討 / p108 (0115.jp2)
- 6-3 PAEによる窒素アクセプターのドーピング / p111 (0118.jp2)
- 6-4 ZnSe中での窒素アクセプターのレベル / p114 (0121.jp2)
- 6-5 原料供給比依存性 / p119 (0126.jp2)
- 6-6 窒素ガス混合割合依存性 / p128 (0135.jp2)
- 6-7 窒素ドープZnSeの成長におけるプラズマ中での反応の観察 / p128 (0135.jp2)
- 6-8 ZnSe薄膜中の深い準位 / p137 (0144.jp2)
- 6-9 まとめ / p147 (0154.jp2)
- 第6章の参考文献 / p148 (0155.jp2)
- 第7章 結論 / p152 (0159.jp2)
- 謝辞 / p154 (0161.jp2)