散乱蛍光X線の屈折現象を利用した新しい表面分析法
この論文にアクセスする
この論文をさがす
著者
書誌事項
- タイトル
-
散乱蛍光X線の屈折現象を利用した新しい表面分析法
- 著者名
-
佐々木, 裕次
- 著者別名
-
ササキ, ユウジ
- 学位授与大学
-
東北大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第4428号
- 学位授与年月日
-
1991-03-28
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0006.jp2)
- 第1章 序論 / (0009.jp2)
- 1-1 X線(蛍光X線)による表面分析 / p6 (0010.jp2)
- 1-2 X線の屈折現象 / p8 (0012.jp2)
- 1-3 蛍光X線の屈折現象を利用した新しい表面分析法の検討 / p10 (0014.jp2)
- 第2章 原理と実験方法 / (0018.jp2)
- 2-1 X線の屈折率と全反射現象 / p15 (0019.jp2)
- 2-2 レーザを用いた表面ラフネスの測定原理 / p21 (0025.jp2)
- 2-3 X線の入射角 / p25 (0029.jp2)
- 2-4 蛍光X線の取り出し角 / p28 (0032.jp2)
- 2-5 試料薄膜の作製 / p29 (0033.jp2)
- 2-6 イオン･インプランテーション / p30 (0034.jp2)
- 第3章 蛍光X線強度の取り出し角分布 / (0037.jp2)
- 3-1 X線垂直入射による蛍光X線強度の取り出し角依存性 / p34 (0038.jp2)
- 3-2 全反射X線入射による蛍光X線強度の取り出し角依存性-I(基板に多結晶を用いた場合) / p40 (0044.jp2)
- 3-3 全反射X線入射による蛍光X線強度の取り出し角依存性-II(基板に単結晶を用いた場合) / p47 (0051.jp2)
- 3-4 MBE法により作製したGaAs超薄膜 / p58 (0062.jp2)
- 3-5 基板の表面ラフネス依存性 / p63 (0067.jp2)
- 3-6 蛍光X線の取り出し角強度分布の膜厚依存性 / p67 (0071.jp2)
- 3-7 コッセル線について / p71 (0075.jp2)
- 3-8 まとめ / p79 (0083.jp2)
- 第4章 屈折蛍光X線(RXF)の発生メカニズム / (0086.jp2)
- 4-1 水溶液滴下による成膜 / p83 (0087.jp2)
- 4-2 蛍光X線強度の取り出し角分布I(θt)の数式化 / p88 (0092.jp2)
- 4-3 パラメータとしての膜厚と表面ラフネス / p100 (0104.jp2)
- 4-4 まとめ / p103 (0107.jp2)
- 第5章 屈折蛍光X線(RXF)の応用 / (0109.jp2)
- 5-1 Pb､Cu基板におけるI(θt) / p106 (0110.jp2)
- 5-2 不連続膜から連続膜への変化 / p114 (0118.jp2)
- 5-3 Au/Mn系における表面反応 / p121 (0125.jp2)
- 5-4 蛍光X線の干渉効果(Kiessig's Fringes) / p130 (0134.jp2)
- 5-5 新しい分光システム:RDS / p143 (0147.jp2)
- 5-6 非破壊深さ分析 / p150 (0154.jp2)
- 5-7 有機薄膜の配向分析 / p171 (0175.jp2)
- 第6章 屈折蛍光X線(RXF)の定量化 / (0185.jp2)
- 6-1 定量化のための2つの考察 / p182 (0186.jp2)
- 6-2 自己吸収効果の低減 / p193 (0197.jp2)
- 第7章 総論 / (0202.jp2)
- 7-1 結論 / p199 (0203.jp2)
- 7-2 X線の屈折現象の行方 / p203 (0207.jp2)