赤外電荷転送デバイス用HgCdTeの表面保護膜に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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赤外電荷転送デバイス用HgCdTeの表面保護膜に関する研究
- 著者名
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谷川, 邦廣
- 著者別名
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タニカワ, クニヒロ
- 学位授与大学
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東北大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
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乙第5414号
- 学位授与年月日
-
1991-01-09
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次/p1 (3コマ目)
- 第1章 総論/p1 (8コマ目)
- 1.1 赤外電荷転送デバイス開発の背景/p1 (8コマ目)
- 1.2 研究の目的と概要/p3 (10コマ目)
- 第2章 赤外電荷転送デバイス用HgCdTeの表面保護膜に関する基本的考察/p7 (14コマ目)
- 2.1 序言/p7 (14コマ目)
- 2.2 赤外電荷転送デバイス/p7 (14コマ目)
- 2.3 電荷転送デバイス用ゲート絶縁膜および表面保護膜/p12 (19コマ目)
- 2.4 ホトダイオードのゼロバイアス抵抗の理論計算および実験的検討/p20 (27コマ目)
- 2.5 HgCdTe表面の分析/p31 (38コマ目)
- 2.6 結言/p34 (41コマ目)
- 第3章 電子サイクロトロン共鳴プラズマCVD法SiNx膜によるHgCdTeの表面保護/p37 (44コマ目)
- 3.1 序言/p37 (44コマ目)
- 3.2 HgCdTe―光起電力アレイの表面保護膜に必要な要件/p37 (44コマ目)
- 3.3 電子サイクロトロン共鳴プラズマCVD法によるSiNx膜/p38 (45コマ目)
- 3.4 ZnSおよびHgCdTe陽極硫化膜との比較･検討/p71 (78コマ目)
- 3.5 ホトダイオードの特性/p79 (86コマ目)
- 3.6 赤外電荷転送デバイスへの適用/p89 (96コマ目)
- 3.7 結言/p93 (100コマ目)
- 第4章 SiNx膜による赤外電荷転送デバイスの高性能化/p95 (102コマ目)
- 4.1 序言/p95 (102コマ目)
- 4.2 3-5μm帯HgCdTe64×64画素赤外電荷転送デバイス/p95 (102コマ目)
- 4.3 1Oμm帯HgCdTe100×4画素赤外電荷転送デバイス/p110 (117コマ目)
- 4.4 考察/p117 (124コマ目)
- 4.5 結言/p122 (129コマ目)
- 第5章 結論/p124 (131コマ目)
- 謝辞/p127 (134コマ目)
- 参考文献/p128 (135コマ目)
- 付録A HgCdTe-MISキャパシタ/p134 (141コマ目)
- 付録B 表面電位および表面電位測定法/p144 (151コマ目)
- 付録C HgCdTe-pn接合ダイオードの洩れ電流/p149 (156コマ目)
- 付録D HgCdTe-pn接合ダイオードのR₀Aの計算/p152 (159コマ目)
- 付録E 陽極硫化膜を保護膜として用いたHgCdTeホトダイオードの可視･近赤外応答/p157 (164コマ目)
- 著者論文リスト/p160 (167コマ目)