赤外電荷転送デバイス用HgCdTeの表面保護膜に関する研究

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著者

    • 谷川, 邦廣 タニカワ, クニヒロ

書誌事項

タイトル

赤外電荷転送デバイス用HgCdTeの表面保護膜に関する研究

著者名

谷川, 邦廣

著者別名

タニカワ, クニヒロ

学位授与大学

東北大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5414号

学位授与年月日

1991-01-09

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 総論 / p1 (0008.jp2)
  3. 1.1 赤外電荷転送デバイス開発の背景 / p1 (0008.jp2)
  4. 1.2 研究の目的と概要 / p3 (0010.jp2)
  5. 第2章 赤外電荷転送デバイス用HgCdTeの表面保護膜に関する基本的考察 / p7 (0014.jp2)
  6. 2.1 序言 / p7 (0014.jp2)
  7. 2.2 赤外電荷転送デバイス / p7 (0014.jp2)
  8. 2.3 電荷転送デバイス用ゲート絶縁膜および表面保護膜 / p12 (0019.jp2)
  9. 2.4 ホトダイオードのゼロバイアス抵抗の理論計算および実験的検討 / p20 (0027.jp2)
  10. 2.5 HgCdTe表面の分析 / p31 (0038.jp2)
  11. 2.6 結言 / p34 (0041.jp2)
  12. 第3章 電子サイクロトロン共鳴プラズマCVD法SiNx膜によるHgCdTeの表面保護 / p37 (0044.jp2)
  13. 3.1 序言 / p37 (0044.jp2)
  14. 3.2 HgCdTe―光起電カアレイの表面保護膜に必要な要件 / p37 (0044.jp2)
  15. 3.3 電子サイクロトロン共鳴プラズマCVD法によるSiNx膜 / p38 (0045.jp2)
  16. 3.4 ZnSおよびHgCdTe陽極硫化膜との比較・検討 / p71 (0078.jp2)
  17. 3.5 ホトダイオードの特性 / p79 (0086.jp2)
  18. 3.6 赤外電荷転送デバイスへの適用 / p89 (0096.jp2)
  19. 3.7 結言 / p93 (0100.jp2)
  20. 第4章 SiNx膜による赤外電荷転送デバイスの高性能化 / p95 (0102.jp2)
  21. 4.1 序言 / p95 (0102.jp2)
  22. 4.2 3-5μm帯HgCdTe64×64画素赤外電荷転送デバイス / p95 (0102.jp2)
  23. 4.3 1Oμm帯HgCdTe100×4画素赤外電荷転送デバイス / p110 (0117.jp2)
  24. 4.4 考察 / p117 (0124.jp2)
  25. 4.5 結言 / p122 (0129.jp2)
  26. 第5章 結論 / p124 (0131.jp2)
  27. 謝辞 / p127 (0134.jp2)
  28. 参考文献 / p128 (0135.jp2)
  29. 付録A HgCdTe-MISキャパシタ / p134 (0141.jp2)
  30. 付録B 表面電位および表面電位測定法 / p144 (0151.jp2)
  31. 付録C HgCdTe-pn接合ダイオードの洩れ電流 / p149 (0156.jp2)
  32. 付録D HgCdTe-pn接合ダイオードのR₀Aの計算 / p152 (0159.jp2)
  33. 付録E 陽極硫化膜を保護膜として用いたHgCdTeホトダイオードの可視・近赤外応答 / p157 (0164.jp2)
  34. 著者論文リスト / p160 (0167.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000076854
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000077057
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000241168
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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