有機金属気相成長法によるAlGaAs/GaAs極薄膜ヘテロ構造の作製と評価

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著者

    • 河合, 弘治 カワイ, ヒロジ

書誌事項

タイトル

有機金属気相成長法によるAlGaAs/GaAs極薄膜ヘテロ構造の作製と評価

著者名

河合, 弘治

著者別名

カワイ, ヒロジ

学位授与大学

静岡大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第36号

学位授与年月日

1991-06-17

注記・抄録

博士論文

doctoral

電子科学研究科

乙第36号

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 緒言 / p1 (0004.jp2)
  3. 1-1 本研究の背景[ヘテロ接合デバイスの出現と結晶成長法] / p1 (0004.jp2)
  4. 1-2 本研究の目的 / p2 (0005.jp2)
  5. 1-3 本文の構成 / p3 (0005.jp2)
  6. 第2章 有機金属気相成長(MOCVD)装置の開発と基本性能の評価 / p9 (0008.jp2)
  7. 2-0 はじめに / p9 (0008.jp2)
  8. 2-1 AlGaAs MOCVDの原理 / p9 (0008.jp2)
  9. 2-2 AlGaAs MOCVD装置の概要 / p12 (0010.jp2)
  10. 2-3 反応装置の操作 / p17 (0012.jp2)
  11. 2-4 原料供給速度とAlGaAs結晶成長速度 / p21 (0014.jp2)
  12. 2-5 成長速度の面内分布 / p22 (0015.jp2)
  13. 2-6 傾斜組成層AlxGa₁₋xAsの作製と評価 / p23 (0015.jp2)
  14. 2-7 まとめ / p25 (0016.jp2)
  15. 第3章 単層成長(Al)GaAs薄膜結晶の評価 / p27 (0017.jp2)
  16. 3-0 はじめに / p27 (0017.jp2)
  17. 3-1 AlGaAs中の不純物(4.2Kフォトルミネセンス) / p27 (0017.jp2)
  18. 3-2 AlGaAs中の活性不純物のV/III比依存性 / p29 (0018.jp2)
  19. 3-3 GaAs中の添加不純物濃度の成長条件依存性 / p31 (0019.jp2)
  20. 3-4 まとめ / p38 (0023.jp2)
  21. 第4章 成長中に於けるその場観察法の開発 / p40 (0024.jp2)
  22. 4-0 はじめに / p40 (0024.jp2)
  23. 4-1 垂直入射光反射法 / p41 (0024.jp2)
  24. 4-2 実験結果 / p42 (0025.jp2)
  25. 4-3 成長温度(600~700℃)に於けるAlxGa₁₋xAsの光学定数 / p46 (0027.jp2)
  26. 4-4 実時間成長制御方法 / p49 (0028.jp2)
  27. 4-5 まとめ / p50 (0029.jp2)
  28. 第5章 MOCVD法によるAlGaAs/GaAsヘテロ接合の形成と評価 / p52 (0030.jp2)
  29. 5-0 はじめに / p52 (0030.jp2)
  30. 5-1 AESによるAlGaAs/GaAsヘテロ界面急峻性の評価 / p52 (0030.jp2)
  31. 5-2 AlAs/GaAs超格子とTEMによる構造解析 / p59 (0033.jp2)
  32. 5-3 AlGaAs/GaAs両氏井戸の作製と量子状態の解析 / p65 (0036.jp2)
  33. 5-4 共鳴二重量子井戸とその量子状態の解析 / p79 (0043.jp2)
  34. 5-5 GaAs/AlGaAs/GaAs単一量子障壁とトンネル電子伝導 / p93 (0050.jp2)
  35. 5-6 まとめ / p98 (0053.jp2)
  36. 第六章 MOCVDのヘテロ接合デバイスへの応用 / p101 (0054.jp2)
  37. 6-0 はじめに / p101 (0054.jp2)
  38. 6-1 AlGaAs/AlGaAs多重量子井戸レーザの作製戸評価 / p102 (0055.jp2)
  39. 6-2 AlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の作製と評価 / p107 (0057.jp2)
  40. 6-3 コレクタアップ型再成長AlGaAsHBTの作製と評価 / p111 (0059.jp2)
  41. 6-4 GaIn/GaAsHBTの作製と評価 / p115 (0061.jp2)
  42. 6-5 InP/GaInAsHBTの作製と評価 / p122 (0065.jp2)
  43. 第7章 結言 / p128 (0068.jp2)
  44. Appendix / p133 (0070.jp2)
  45. 謝辞 / p137 (0072.jp2)
  46. 付記 / p138 (0073.jp2)
  47. 学術誌発表論文 / p138 (0073.jp2)
  48. 関連特許 / p142 (0075.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000077329
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000077532
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000241643
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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