分子線エピタキシー法によるZnS薄膜結晶の成長とその応用に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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分子線エピタキシー法によるZnS薄膜結晶の成長とその応用に関する研究
- 著者名
-
太田, 新一
- 著者別名
-
オオタ, シンイチ
- 学位授与大学
-
新潟大学
- 取得学位
-
学術博士
- 学位授与番号
-
甲第755号
- 学位授与年月日
-
1991-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0008.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0012.jp2)
- 1-1.まえがき / p1 (0012.jp2)
- 1-2.本研究の背景と目的 / p5 (0016.jp2)
- 1-3.本論文の構成 / p11 (0022.jp2)
- 1-4.まとめ / p14 (0025.jp2)
- 参考文献 / p14 (0025.jp2)
- 第2章 MBE法による薄膜結晶成長について / p17 (0028.jp2)
- 2-1.まえがき / p17 (0028.jp2)
- 2-2.MBEの歴史的背景 / p18 (0029.jp2)
- 2-3.MBE法の原理と特徴 / p19 (0030.jp2)
- 2-4.本研究で用いたMBE装置 / p24 (0035.jp2)
- 2-5.まとめ / p32 (0043.jp2)
- 参考文献 / p33 (0044.jp2)
- 第3章 MBE法によるZnSの成長及び結晶評価 / p34 (0045.jp2)
- 3-1.まえがき / p34 (0045.jp2)
- 3-2.Si(111)面上のZnSのMBE成長 / p37 (0048.jp2)
- 3-3.Si(100)面上のZnSのMBE成長 / p49 (0060.jp2)
- 3-4.GaAs(100)面上のZnSのMBE成長 / p66 (0077.jp2)
- 3-5.まとめ / p83 (0094.jp2)
- 参考文献 / p84 (0095.jp2)
- 第4章 ALE-MBE法を用いた高精度制御薄膜結晶成長 / p88 (0099.jp2)
- 4-1.まえがき / p88 (0099.jp2)
- 4-2.ZnSのALE成長 / p90 (0101.jp2)
- 4-3.ZnSのALE成長機構 / p102 (0113.jp2)
- 4-4.まとめ / p104 (0115.jp2)
- 参考文献 / p105 (0116.jp2)
- 第5章 ALE-MBE法を用いた薄膜多層構造の形成と評価 / p108 (0119.jp2)
- 5-1.まえがき / p108 (0119.jp2)
- 5-2.CdS/ZnS超格子 / p109 (0120.jp2)
- 5-3.CdS/ZnSフィボナッチ超格子 / p138 (0149.jp2)
- 5-4.まとめ / p146 (0157.jp2)
- 参考文献 / p147 (0158.jp2)
- 第6章 MBE法を用いた薄膜EL素子の形成 / p151 (0162.jp2)
- 6-1.まえがき / p151 (0162.jp2)
- 6-2.薄膜EL素子の形成 / p153 (0164.jp2)
- 6-3.MBE法により形成したガラス/ITO/BTO上のZnS:Mn薄膜 / p157 (0168.jp2)
- 6-4.エレクトロルミネッセンス特性 / p167 (0178.jp2)
- 6-5.従来法によるZnS:Mn薄膜EL素子との比較 / p179 (0190.jp2)
- 6-6.まとめ / p184 (0195.jp2)
- 参考文献 / p187 (0198.jp2)
- 第7章 結論 / p190 (0201.jp2)
- 謝辞 / p193 (0204.jp2)
- 本研究に関する業績目録 / p194 (0205.jp2)