分子線エピタキシー法によるZnS薄膜結晶の成長とその応用に関する研究

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著者

    • 太田, 新一 オオタ, シンイチ

書誌事項

タイトル

分子線エピタキシー法によるZnS薄膜結晶の成長とその応用に関する研究

著者名

太田, 新一

著者別名

オオタ, シンイチ

学位授与大学

新潟大学

取得学位

学術博士

学位授与番号

甲第755号

学位授与年月日

1991-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0008.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0012.jp2)
  3. 1-1.まえがき / p1 (0012.jp2)
  4. 1-2.本研究の背景と目的 / p5 (0016.jp2)
  5. 1-3.本論文の構成 / p11 (0022.jp2)
  6. 1-4.まとめ / p14 (0025.jp2)
  7. 参考文献 / p14 (0025.jp2)
  8. 第2章 MBE法による薄膜結晶成長について / p17 (0028.jp2)
  9. 2-1.まえがき / p17 (0028.jp2)
  10. 2-2.MBEの歴史的背景 / p18 (0029.jp2)
  11. 2-3.MBE法の原理と特徴 / p19 (0030.jp2)
  12. 2-4.本研究で用いたMBE装置 / p24 (0035.jp2)
  13. 2-5.まとめ / p32 (0043.jp2)
  14. 参考文献 / p33 (0044.jp2)
  15. 第3章 MBE法によるZnSの成長及び結晶評価 / p34 (0045.jp2)
  16. 3-1.まえがき / p34 (0045.jp2)
  17. 3-2.Si(111)面上のZnSのMBE成長 / p37 (0048.jp2)
  18. 3-3.Si(100)面上のZnSのMBE成長 / p49 (0060.jp2)
  19. 3-4.GaAs(100)面上のZnSのMBE成長 / p66 (0077.jp2)
  20. 3-5.まとめ / p83 (0094.jp2)
  21. 参考文献 / p84 (0095.jp2)
  22. 第4章 ALE-MBE法を用いた高精度制御薄膜結晶成長 / p88 (0099.jp2)
  23. 4-1.まえがき / p88 (0099.jp2)
  24. 4-2.ZnSのALE成長 / p90 (0101.jp2)
  25. 4-3.ZnSのALE成長機構 / p102 (0113.jp2)
  26. 4-4.まとめ / p104 (0115.jp2)
  27. 参考文献 / p105 (0116.jp2)
  28. 第5章 ALE-MBE法を用いた薄膜多層構造の形成と評価 / p108 (0119.jp2)
  29. 5-1.まえがき / p108 (0119.jp2)
  30. 5-2.CdS/ZnS超格子 / p109 (0120.jp2)
  31. 5-3.CdS/ZnSフィボナッチ超格子 / p138 (0149.jp2)
  32. 5-4.まとめ / p146 (0157.jp2)
  33. 参考文献 / p147 (0158.jp2)
  34. 第6章 MBE法を用いた薄膜EL素子の形成 / p151 (0162.jp2)
  35. 6-1.まえがき / p151 (0162.jp2)
  36. 6-2.薄膜EL素子の形成 / p153 (0164.jp2)
  37. 6-3.MBE法により形成したガラス/ITO/BTO上のZnS:Mn薄膜 / p157 (0168.jp2)
  38. 6-4.エレクトロルミネッセンス特性 / p167 (0178.jp2)
  39. 6-5.従来法によるZnS:Mn薄膜EL素子との比較 / p179 (0190.jp2)
  40. 6-6.まとめ / p184 (0195.jp2)
  41. 参考文献 / p187 (0198.jp2)
  42. 第7章 結論 / p190 (0201.jp2)
  43. 謝辞 / p193 (0204.jp2)
  44. 本研究に関する業績目録 / p194 (0205.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000077512
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000077715
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000241826
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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