Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体結晶の引上法による成長技術に関する研究

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著者

    • 松本, 和久 マツモト, カズヒサ

書誌事項

タイトル

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体結晶の引上法による成長技術に関する研究

著者名

松本, 和久

著者別名

マツモト, カズヒサ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5447号

学位授与年月日

1991-06-12

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 III-V族化合物半導体結晶の成長技術 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 引上法による結晶成長技術開発の歴史 / p2 (0006.jp2)
  5. 1.3 本研究の目的と概要 / p7 (0008.jp2)
  6. 参考文献 / p11 (0010.jp2)
  7. 第2章 GaAs結晶成長技術 / p12 (0011.jp2)
  8. 2.1 GaAsの応用分野と成長方法 / p12 (0011.jp2)
  9. 2.2 低転位化技術 / p15 (0012.jp2)
  10. 2.3 熱処理による結晶特性改善技術 / p31 (0020.jp2)
  11. 2.4 原料融液組成の結晶特性への影響 / p41 (0025.jp2)
  12. 2.5 二重ルツボ成長法による均一ドーピング技術 / p50 (0030.jp2)
  13. 2.6 まとめ / p61 (0035.jp2)
  14. 参考文献 / p63 (0036.jp2)
  15. 第3章 GaP結晶成長技術 / p66 (0038.jp2)
  16. 3.1 GaPの応用分野と成長方法 / p66 (0038.jp2)
  17. 3.2 GaP多結晶合成技術 / p68 (0039.jp2)
  18. 3.3 単結晶成長環境の改善 / p69 (0039.jp2)
  19. 3.4 GaP結晶中の欠陥とエピタキシァル層品質に及ぼす影響 / p73 (0041.jp2)
  20. 3.5 Siドーピングによる高品質化 / p79 (0044.jp2)
  21. 3.6 ノンストイキオメトリックな融液からの成長による高品質化 / p86 (0048.jp2)
  22. 3.7 低欠陥密度化に対する考察 / p91 (0050.jp2)
  23. 3.8 まとめ / p92 (0051.jp2)
  24. 参考文献 / p94 (0052.jp2)
  25. 第4章 GaSb結晶成長技術 / p95 (0052.jp2)
  26. 4.1 GaSbの用途と成長方法 / p95 (0052.jp2)
  27. 4.2 〈111〉方位の結晶成長 / p98 (0054.jp2)
  28. 4.3 〈100〉方位の結晶成長 / p103 (0056.jp2)
  29. 4.4 まとめ / p110 (0060.jp2)
  30. 参考文献 / p111 (0060.jp2)
  31. 第5章 総括 / p112 (0061.jp2)
  32. 謝辞 / p117 (0063.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000077651
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000077854
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000241965
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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