Au-SiおよびCdTeを用いた半導体検出器とその物性に関する研究 Au-Si オヨビ CdTe オ モチイタ ハンドウタイ ケンシュツキ ト ソノ ブッセイ ニ カンスル ケンキュウ

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著者

    • 大羽, 克彦 オオバ, カツヒコ

書誌事項

タイトル

Au-SiおよびCdTeを用いた半導体検出器とその物性に関する研究

タイトル別名

Au-Si オヨビ CdTe オ モチイタ ハンドウタイ ケンシュツキ ト ソノ ブッセイ ニ カンスル ケンキュウ

著者名

大羽, 克彦

著者別名

オオバ, カツヒコ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5455号

学位授与年月日

1991-06-24

注記・抄録

博士論文

09847

博士(工学)

1991-06-24

大阪大学

14401乙第05455号

目次

  1. 目次 / p1 (0005.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 参考文献 / p5 (0008.jp2)
  4. 第2章 Au-Si表面障壁型放射線検出器 / p7 (0009.jp2)
  5. 2.1 検出器の動作原理 / p7 (0009.jp2)
  6. 2.2 検出器の製作 / p9 (0010.jp2)
  7. 2.3 放射線スペクトルの測定 / p11 (0011.jp2)
  8. 2.4 検出器の空乏層の厚さ測定 / p14 (0013.jp2)
  9. 参考文献 / p20 (0016.jp2)
  10. 第3章 Au-Si表面障壁型放射線検出器の放射線損傷と熱処理効果 / p21 (0016.jp2)
  11. 3.1 荷電粒子(³He、陽子)とγ線(⁶ºCo)による照射損傷と熱処理 / p21 (0016.jp2)
  12. 3.2 荷電粒子線照射 / p23 (0017.jp2)
  13. 3.3 γ線照射 / p46 (0029.jp2)
  14. 3.4 まとめ / p61 (0036.jp2)
  15. 参考文献 / p62 (0037.jp2)
  16. 第4章 CdTe結晶成長および検出器への応用 / p63 (0037.jp2)
  17. 4.1 CdTeバルク結晶成長 / p64 (0038.jp2)
  18. 4.2 有機金属気相(MOCVD)法によるエピタキシャル成長 / p68 (0040.jp2)
  19. 4.3 CdTe放射線検出器 / p72 (0042.jp2)
  20. 4.4 まとめ / p76 (0044.jp2)
  21. 参考文献 / p77 (0044.jp2)
  22. 第5章 CdTeのHg熱処理効果 / p79 (0045.jp2)
  23. 5.1 Hg熱処理 / p80 (0046.jp2)
  24. 5.2 Hg熱処理CdTeのフォトルミネッセンスによる評価 / p81 (0046.jp2)
  25. 5.3 まとめ / p99 (0055.jp2)
  26. 参考文献 / p99 (0055.jp2)
  27. 第6章 総括 / p101 (0056.jp2)
  28. 謝辞 / p106 (0059.jp2)
  29. 研究業績 / p107 (0059.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000077659
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000077862
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000241973
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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