Investigation of Zn[-] and Ga[-] chalcogenide compound semiconductors and their heterostructures Zu[-]及びGa[-]カルコゲナイド化合物半導体とそれらのヘテロ構造に関する研究

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著者

    • 寺口, 信明 テラグチ, ノブアキ

書誌事項

タイトル

Investigation of Zn[-] and Ga[-] chalcogenide compound semiconductors and their heterostructures

タイトル別名

Zu[-]及びGa[-]カルコゲナイド化合物半導体とそれらのヘテロ構造に関する研究

著者名

寺口, 信明

著者別名

テラグチ, ノブアキ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第2283号

学位授与年月日

1991-03-26

注記・抄録

博士論文

資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト

コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文

目次

  1. 論文目録
  2. TABLE OF CONTENTS
  3. Preface
  4. Chapter1 Overview and Objectives of This Research
  5. Chapter2 Some Key Features of II-VI and III-VI Compuond semiconductors,Superlattices and Growth Techniques
  6. 2-1 Physical Properties of II-VI Compounds
  7. 2-2 Physical Properties of III-VI Compounds
  8. 2-3 General Conceptions for Superlattices
  9. 2-4 Epitaxial Growth Techniques
  10. Chapter3 Metalorganic Molecular Beam Epitaxy of Zn-Chalocogenides
  11. 3-1 Introduction
  12. 3-2 Physical Properties of Metalorganics
  13. 3-3 Metalorganic Molecular Beam Epitaxy System
  14. 3-4 Epitaxial Growth of Zn-Chalcogenides
  15. 3-5 Summary
  16. Chapter4 Metalorganic Molecular Beam Epitaxy and Characterization of ZnS-ZnSe and ZnS-ZnTe Strained-Layer Superlattices
  17. 4-1 Introduction
  18. 4-2 Growth System and Process
  19. 4-3 Characterization of ZnS-ZnSe Strained-Layer Superlattices
  20. 4-4 Characterization of ZnS-ZnTe Strained-Layer Superlattices
  21. 4-5 Summary
  22. Chapter5 Atomic Layer Epitaxy of ZnSe Using Metalorganic Molecular Beam Epitaxy
  23. 5-1 Introduction
  24. 5-2 Growth System and Process
  25. 5-3 Atomic Layer Epitaxy of ZnSe
  26. 5-4 Best Source Combination for Atomic Layer Epitaxy
  27. 5-5 Summary
  28. Chapter6 III-VI Compound Semiconductors as a New Material for Blue-light Emitting Devices and Functional Devices
  29. 6-1 Introduction
  30. 6-2 Survey of Other Works
  31. 6-3 New Material for Blue-light Emitting Device
  32. 6-4 Pseudo-Two-Dimensional Superlattices
  33. 6-5 Summary
  34. Chapter7 Growth and Characterization of Ga-Chalcogenide Compound Semiconductors
  35. 7-1 Introduction
  36. 7-2 Growth System and Process
  37. 7-3 Growth of Ga-Sesquichalcogenides by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy
  38. 7-4 Characterization of Ga₂Te₃
  39. 7-5 Growth of Ga₂Se₃ by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy and Key Point for Epitaxy
  40. 7-6 Growth and Characterization of Ga₂Se₃ by Molecular Beam Epitaxy
  41. 7-7 Vacancy Ordering
  42. 7-8 Growth of Ga-Chalcogenides on Mica and SiO₂
  43. 7-9 Summary
  44. Chapter8 General Conclusions
  45. Acknowledgments
  46. References
  47. List of Publications
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500001997099
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000002561025
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000242272
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション

書き出し

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