Computer simulation of amorphous Pd[80]Si[20] irradiated by ions with energies extending to 5 keV アモルフォスPd[80]Si[20]における5keVイオン照射の計算機シミュレーション

この論文をさがす

著者

    • 岡本, 芳浩 オカモト, ヨシヒロ

書誌事項

タイトル

Computer simulation of amorphous Pd[80]Si[20] irradiated by ions with energies extending to 5 keV

タイトル別名

アモルフォスPd[80]Si[20]における5keVイオン照射の計算機シミュレーション

著者名

岡本, 芳浩

著者別名

オカモト, ヨシヒロ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第2308号

学位授与年月日

1991-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. Contents / (0004.jp2)
  3. 1.Introduction / p1 (0005.jp2)
  4. 2.Experimental / p6 (0010.jp2)
  5. 2.1 Preparation of amorphous alloy / p6 (0010.jp2)
  6. 2.2 Irradiation experiments / p11 (0015.jp2)
  7. 2.3 X-ray diffraction(XRD) / p16 (0020.jp2)
  8. 2.4 Small angle x-ray seattering(SAXS) / p20 (0024.jp2)
  9. 2.5 Extended x-ray absorption fine structure (EXAFS) / p23 (0027.jp2)
  10. 2.6 Conclusion / p38 (0042.jp2)
  11. 3.The structure of amorphous Pd₈₀Si₂₀ alloy / p40 (0044.jp2)
  12. 3.1 Structural models / p40 (0044.jp2)
  13. 3.2 Molecular dynamics(MD) simulation / p45 (0049.jp2)
  14. 3.3 Reverse Monte Carlo(RMC) simulation / p56 (0060.jp2)
  15. 3.4 Conclusion / p66 (0070.jp2)
  16. 4.Radiation damage in amorphous Pd₈₀Si₂₀ alloy / p68 (0072.jp2)
  17. 4.1 Heavy ion irradiation on the surface / p68 (0072.jp2)
  18. 4.2 γ-ray irradiation / p76 (0080.jp2)
  19. 4.3 Light ion irradiation in the bulk of the sample / p81 (0085.jp2)
  20. 4.4 Conclusion / p88 (0092.jp2)
  21. 5.Radiation damage simulations / p89 (0093.jp2)
  22. 5.1 Simulation with low energies(25~300eV) / p89 (0093.jp2)
  23. 5.2 Simulation with 1.0 and 2.0keV / p109 (0113.jp2)
  24. 5.3 Simulation with energy extending to 5keV / p120 (0124.jp2)
  25. 5.4 Conclusion / p132 (0136.jp2)
  26. 6.Conclusion / p134 (0138.jp2)
  27. 7.Acknoledgment / p137 (0141.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000077983
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000078187
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000242297
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ