GaAsおよびAlAsの原子層成長に関する研究

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著者

    • 石崎, 守 イシザキ, マモル

書誌事項

タイトル

GaAsおよびAlAsの原子層成長に関する研究

著者名

石崎, 守

著者別名

イシザキ, マモル

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第2312号

学位授与年月日

1991-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 目次 / (0004.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  4. 1-1.本研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  5. 1-2.本研究の目的と意義 / p11 (0016.jp2)
  6. 1-3.本論文の構成 / p12 (0017.jp2)
  7. 〔第1章の参考文献〕 / p13 (0018.jp2)
  8. 第2章 原子層成長のための成長系 / p16 (0021.jp2)
  9. 2-1.はじめに / p16 (0021.jp2)
  10. 2-2.成長機構の検討 / p17 (0022.jp2)
  11. 2-3.原料系の選択 / p21 (0026.jp2)
  12. 2-4.成長系の設計・製作 / p24 (0029.jp2)
  13. 2-5.第2章のまとめ / p35 (0040.jp2)
  14. 〔第2章の参考文献〕 / p36 (0041.jp2)
  15. 第3章 GaAsの原子層成長 / p38 (0043.jp2)
  16. 3-1.はじめに / p38 (0043.jp2)
  17. 3-2.成長手順 / p39 (0044.jp2)
  18. 3-3.成長速度の評価 / p42 (0047.jp2)
  19. 3-4.その他の評価 / p62 (0067.jp2)
  20. 3-5.成長機構 / p67 (0072.jp2)
  21. 3-6.第3章のまとめ / p69 (0074.jp2)
  22. 〔第3章の参考文献〕 / p70 (0075.jp2)
  23. 第4章 AlAsの原子層成長 / p72 (0077.jp2)
  24. 4-1.はじめに / p72 (0077.jp2)
  25. 4-2.成長手順 / p73 (0078.jp2)
  26. 4-3.成長速度の評価 / p74 (0079.jp2)
  27. 4-4.その他の評価 / p84 (0089.jp2)
  28. 4-5.成長機構 / p92 (0097.jp2)
  29. 4-6.第4章のまとめ / p97 (0102.jp2)
  30. 〔第4章の参考文献〕 / p98 (0103.jp2)
  31. 第5章 GaAs/AlAs超格子構造の原子層成長 / p100 (0105.jp2)
  32. 5-1.はじめに / p100 (0105.jp2)
  33. 5-2.成長手順 / p102 (0107.jp2)
  34. 5-3.X線回折による評価 / p104 (0109.jp2)
  35. 5-4.第5章のまとめ / p111 (0116.jp2)
  36. 〔第5章の参考文献〕 / p112 (0117.jp2)
  37. 第6章 結論と今後の展望 / p113 (0118.jp2)
  38. 6-1.本研究の結論 / p113 (0118.jp2)
  39. 6-2.今後の展望 / p114 (0119.jp2)
  40. 〔第6章の参考文献〕 / p116 (0121.jp2)
  41. 謝辞 / p117 (0122.jp2)
  42. 発表論文 / p118 (0123.jp2)
  43. 学会発表 / p119 (0124.jp2)
  44. 付録 窓付反応管の流れ計算 / p121 (0126.jp2)
  45. 〔付録の参考文献〕 / p127 (0132.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000077987
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000078191
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000242301
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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