Ⅲ-Ⅴ族半導体のDX準位に関する研究

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著者

    • 藤澤, 利正 フジサワ, トシマサ

書誌事項

タイトル

Ⅲ-Ⅴ族半導体のDX準位に関する研究

著者名

藤澤, 利正

著者別名

フジサワ, トシマサ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第2317号

学位授与年月日

1991-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 目次 / (0004.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  4. 1-1 本研究の背景 / p2 (0006.jp2)
  5. 1-2 DXセンターの性質 / p4 (0008.jp2)
  6. 1-3 DXセンターを説明するモデル / p6 (0010.jp2)
  7. 1-4 本研究の目的と手法および影響 / p11 (0015.jp2)
  8. 1-5 本論文の構成 / p14 (0018.jp2)
  9. 第2章 DX準位とバンド構造 / p15 (0019.jp2)
  10. 2-1 AlGaAs中のDXセンター / p16 (0020.jp2)
  11. 2-2 AlGaSb中のDXセンター / p20 (0024.jp2)
  12. 2-3 GaInP中のDXセンター / p24 (0028.jp2)
  13. 2-4 DX準位とバンド構造との関連 / p27 (0031.jp2)
  14. 2-5 まとめ / p28 (0032.jp2)
  15. 第3章 DX準位の格子緩和 / p29 (0033.jp2)
  16. 3-1 伝導帯中にあるDXセンター準安定状態の観測 / p30 (0034.jp2)
  17. 3-2 DXセンターのドナー原子依存性 / p34 (0038.jp2)
  18. 3-3 DXセンターの局所環境効果 / p40 (0044.jp2)
  19. 3-4 効率よいドーピング方法 / p48 (0052.jp2)
  20. 3-5 まとめ / p49 (0053.jp2)
  21. 第4章 DX準位の電子状態 / p50 (0054.jp2)
  22. 4-1 2電子束縛準位-ネガティブU準位- / p51 (0055.jp2)
  23. 4-2 ネガティブUモデルの検証-GeとSiの同時ドーピング- / p57 (0061.jp2)
  24. 4-3 DXセンターによる電子散乱機構-静水圧下GaAsのホール測定- / p65 (0069.jp2)
  25. 4-4 ネガティブUモデルの妥当性 / p72 (0076.jp2)
  26. 4-5 まとめ / p76 (0080.jp2)
  27. 第5章 結論 / p77 (0081.jp2)
  28. 5-1 本研究のまとめ / p78 (0082.jp2)
  29. 5-2 将来展望 / p81 (0085.jp2)
  30. 付録A 圧力発生装置 / p84 (0088.jp2)
  31. 付録B DLTS測定装置 / p90 (0094.jp2)
  32. 付録C 静水圧下の半導体物性 / p95 (0099.jp2)
  33. 謝辞 / p98 (0102.jp2)
  34. 本研究に関する発表 / p99 (0103.jp2)
  35. 参考文献 / p103 (0107.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000077992
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000078196
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000242306
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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