再結晶化法によるSiGe/Siヘテロ構造形成と異径原子導入による格子不整補償に関する研究

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著者

    • 太田, 謙 オオタ, ケン

書誌事項

タイトル

再結晶化法によるSiGe/Siヘテロ構造形成と異径原子導入による格子不整補償に関する研究

著者名

太田, 謙

著者別名

オオタ, ケン

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第2345号

学位授与年月日

1991-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 《目次》 / p1 (0003.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0010.jp2)
  4. 1-1 半導体素子の高速化とヘテロ構造の要請 / p2 (0011.jp2)
  5. 1-2 SiGe/Siヘテロ構造形成に於ける再結晶化法の重要性 / p13 (0022.jp2)
  6. 1-3 SiGe/Siヘテロ構造に於ける様々な問題と格子不整補償の要請 / p18 (0027.jp2)
  7. 1-4 本研究の目的と意義 / p23 (0032.jp2)
  8. 第2章 イオン注入格子不整補償法により作製するHBT特性の理論検討 / p28 (0037.jp2)
  9. 2-1 はじめに / p29 (0038.jp2)
  10. 2-2 ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)の理論 / p30 (0039.jp2)
  11. 2-3 イオン注入&格子不整補償法で形成したHBTの動作理論 / p55 (0064.jp2)
  12. 2-4 本章のまとめ / p70 (0079.jp2)
  13. 第3章 本研究で多用された結晶性評価の基礎 / p72 (0081.jp2)
  14. 3-1 はじめに / p73 (0082.jp2)
  15. 3-2 ラザフォード後方散乱(RBS)法 / p75 (0084.jp2)
  16. 3-3 X線回折法 / p108 (0117.jp2)
  17. 3-4 本章のまとめ / p119 (0128.jp2)
  18. 第4章 超高真空蒸着法による再結晶化SiGe/Si構造の形成 / p121 (0130.jp2)
  19. 4-1 はじめに / p122 (0131.jp2)
  20. 4-2 超高真空蒸着による非晶質SiGe膜の形成 / p125 (0134.jp2)
  21. 4-3 堆積非晶質SiGe膜の再結晶化 / p140 (0149.jp2)
  22. 4-4 結晶性の評価と結晶性改善の試み / p143 (0152.jp2)
  23. 4-5 固相成長SiGe/Siの格子定数と残留歪 / p152 (0161.jp2)
  24. 4-6 残留欠陥とキャリア発生 / p154 (0163.jp2)
  25. 4-7 固相成長SiGe/Siダイオード特性 / p156 (0165.jp2)
  26. 4-8 非晶質SiGeの再結晶化過程 / p159 (0168.jp2)
  27. 4-9 本章のまとめ / p168 (0177.jp2)
  28. 第5章 異径原子導入法による格子不整補償法の提案と理論的考察 / p170 (0179.jp2)
  29. 5-1 はじめに / p171 (0180.jp2)
  30. 5-2 再結晶化過程のエネルギーモデルと固相成長速度 / p174 (0183.jp2)
  31. 5-3 再結晶化法における臨界膜厚低下に関する理論的検討 / p192 (0201.jp2)
  32. 5-4 格子整合条件の理論的検討 / p204 (0213.jp2)
  33. 5-5 不純物固溶限の向上の可能性 / p207 (0216.jp2)
  34. 5-6 本章のまとめ / p212 (0221.jp2)
  35. 第6章 イオン注入法によるSiGe/Si構造の形成 / p214 (0223.jp2)
  36. 6-1 はじめに / p215 (0224.jp2)
  37. 6-2 イオン注入法概説 / p216 (0225.jp2)
  38. 6-3 イオン注入による非晶質SiGe膜の形成の実際 / p225 (0234.jp2)
  39. 6-4 イオン注入よるSiGe/Siヘテロ構造の形成 / p231 (0240.jp2)
  40. 6-5 本章のまとめ / p240 (0249.jp2)
  41. 第7章 イオン注入法を用いた異径原子導入による格子不整補償効果 / p241 (0250.jp2)
  42. 7-1 はじめに / p242 (0251.jp2)
  43. 7-2 ボロン導入による格子不整補償と結晶性の改善 / p243 (0252.jp2)
  44. 7-3 透過電子顕微鏡による格子不整補償試料の観察 / p255 (0264.jp2)
  45. 7-4 Hall測定による格子不整補償SiGe膜の電気的特性 / p261 (0270.jp2)
  46. 7-5 X線回折法による格子不整補償効果の評価 / p268 (0277.jp2)
  47. 7-6 SIMS測定による格子不整補償膜の評価 / p272 (0281.jp2)
  48. 7-7 イオン注入格子不整補償法で作製された素子の特性 / p282 (0291.jp2)
  49. 7-8 本章のまとめ / p288 (0297.jp2)
  50. 第8章 結論 / p290 (0299.jp2)
  51. 8-1 本研究で得られた結論 / p291 (0300.jp2)
  52. 8-2 今後に残された課題 / p296 (0305.jp2)
  53. 謝辞 / p298 (0307.jp2)
  54. 参考文献 / p299 (0308.jp2)
  55. 発表文献等 / p305 (0314.jp2)
  56. 付録 / p307 (0316.jp2)
  57. 多重散乱モデル計算プログラム / (0316.jp2)
  58. RBS測定データのデコンボリューションプログラム / (0328.jp2)
  59. BPTバンド図計算プログラム / (0337.jp2)
  60. 論文要旨 / (0347.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000078020
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000078224
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000242334
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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