VLSI用Si単結晶層の形成と欠陥制御

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Author

    • 釘宮, 公一 クギミヤ, コウイチ

Bibliographic Information

Title

VLSI用Si単結晶層の形成と欠陥制御

Author

釘宮, 公一

Author(Another name)

クギミヤ, コウイチ

University

東京工業大学

Types of degree

工学博士

Grant ID

乙第2054号

Degree year

1990-04-30

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 目次 / (0004.jp2)
  3. 第1章｢序論｣ / p1 (0005.jp2)
  4. 1-1 はじめに / p1 (0005.jp2)
  5. 1-2 本研究の目的と意義 / p2 (0006.jp2)
  6. 1-3 本研究の進め方 / p3 (0006.jp2)
  7. 第2章｢魔鏡を用いたバルクSiウエハ表面の評価｣ / p5 (0007.jp2)
  8. 2-1 はじめに / p5 (0007.jp2)
  9. 2-2 魔鏡の原理及び装置 / p7 (0008.jp2)
  10. 2-3 魔鏡装置の感度及び他の光学的方法との対比 / p10 (0010.jp2)
  11. 2-4 Siウエハの表面評価及び解析 / p15 (0012.jp2)
  12. 2-5 まとめ / p21 (0015.jp2)
  13. 第3章｢Siウエハ表面無欠陥層の形成と評価｣ / p24 (0017.jp2)
  14. 3-1 はじめに / p24 (0017.jp2)
  15. 3-2 Intrinsic Gettering / p26 (0018.jp2)
  16. 3-3 Extrinsic Gettering / p38 (0024.jp2)
  17. 3-4 テストデバイスの評価 / p45 (0027.jp2)
  18. 3-5 Intrinsic Gettering 及び Extrinsic Gettering のまとめ / p46 (0028.jp2)
  19. 第4章｢レーザビーム照射による結晶成長と評価｣ / p50 (0030.jp2)
  20. 4-1 はじめに / p50 (0030.jp2)
  21. 4-2 レーザアニール装置 / p54 (0032.jp2)
  22. 4-3 実験方法 / p54 (0032.jp2)
  23. 4-4 実験結果及び考察 / p57 (0033.jp2)
  24. 4-5 二層単結晶島構造の形成 / p72 (0041.jp2)
  25. 4-6 単結晶島の結晶性評価:MOSトランジスタの電気特性 / p74 (0042.jp2)
  26. 4-7 まとめ / p77 (0043.jp2)
  27. 第5章｢電子ビーム照射による結晶成長と評価｣ / p79 (0044.jp2)
  28. 5-1 はじめに / p79 (0044.jp2)
  29. 5-2 電子ビーム照射装置 / p80 (0045.jp2)
  30. 5-3 実験結果及び考察 / p84 (0047.jp2)
  31. 5-4 まとめ / p88 (0049.jp2)
  32. 第6章｢水素アニール法によるCVD多結晶シリコンの単結晶化｣ / p89 (0049.jp2)
  33. 6-1 はじめに / p89 (0049.jp2)
  34. 6-2 実験方法 / p89 (0049.jp2)
  35. 6-3 実験結果及び考察 / p90 (0050.jp2)
  36. 6-4 まとめ / p97 (0053.jp2)
  37. 第7章｢MBE結晶成長と連続Siビーム照射による欠陥制御｣ / p98 (0054.jp2)
  38. 7-1 はじめに / p98 (0054.jp2)
  39. 7-2 実験方法 / p98 (0054.jp2)
  40. 7-3 実験結果及び考察 / p101 (0055.jp2)
  41. 7-4 不純物ドーピングにおける結晶欠陥 / p112 (0061.jp2)
  42. 7-5 まとめ / p114 (0062.jp2)
  43. 第8章｢結論｣ / p117 (0063.jp2)
  44. 8-1 研究目標の集約と研究開始時点の開発概要 / p117 (0063.jp2)
  45. 8-2 研究成果のまとめ / p117 (0063.jp2)
  46. 8-3 今後の課題 / p119 (0064.jp2)
  47. 謝辞 / p120 (0065.jp2)
  48. 付録1 ｢シリコン中の酸素の赤外吸収による測定｣ / p121 (0065.jp2)
  49. 付録2 ｢短時間アニーリング｣ / p124 (0067.jp2)
  50. 付録3 ｢レーザアニールによる多結晶シリコン中の不純物の活性化｣ / p128 (0069.jp2)
  51. 付録4 ｢魔鏡による熱処理工程のモニター例｣ / p130 (0070.jp2)
  52. 本研究に関する主たる業績のー覧表 / p133 (0071.jp2)
  53. 半導体装置及びプロセスに関する研究業績の一覧表 / p135 (0072.jp2)
2access

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000078041
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000078245
  • DOI(NDL)
  • NDLBibID
    • 000000242355
  • Source
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections

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