薄膜トランジスタ用多結晶シリコン膜形成法に関する研究
この論文にアクセスする
この論文をさがす
著者
書誌事項
- タイトル
-
薄膜トランジスタ用多結晶シリコン膜形成法に関する研究
- 著者名
-
中沢, 憲二
- 著者別名
-
ナカザワ, ケンジ
- 学位授与大学
-
金沢大学
- 取得学位
-
学術博士
- 学位授与番号
-
乙第1146号
- 学位授与年月日
-
1991-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 本研究の目的と意義 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 本研究の背景 / p2 (0006.jp2)
- 1.3 本研究の位置づけ / p21 (0015.jp2)
- 1.4 本論文の構成 / p22 (0016.jp2)
- 第2章 水素プラズマアニールによるpoly-Si膜の水素化 / p28 (0019.jp2)
- 2.1 序言 / p28 (0019.jp2)
- 2.2 実験方法 / p29 (0019.jp2)
- 2.3 実験結果と考察 / p31 (0020.jp2)
- 2.4 結言 / p40 (0025.jp2)
- 第3章 高配向poly-Si膜の形成 / p42 (0026.jp2)
- 3.1 序言 / p42 (0026.jp2)
- 3.2 実験方法 / p43 (0026.jp2)
- 3.3 実験結果と考察 / p45 (0027.jp2)
- 3.4 結言 / p62 (0036.jp2)
- 第4章 μc-Si膜の再結晶化 / p64 (0037.jp2)
- 4.1 序言 / p64 (0037.jp2)
- 4.2 実験方法 / p65 (0037.jp2)
- 4.3 実験結果 / p69 (0039.jp2)
- 4.4 考察 / p77 (0043.jp2)
- 4.5 結言 / p83 (0046.jp2)
- 第5章 PCVDa-Si膜の再結晶化 / p85 (0047.jp2)
- 5.1 序言 / p85 (0047.jp2)
- 5.2 実験方法 / p86 (0048.jp2)
- 5.3 実験結果 / p87 (0048.jp2)
- 5.4 考察 / p102 (0056.jp2)
- 5.5 結言 / p105 (0057.jp2)
- 第6章 Si₂H₆ ガスを用いて堆積したLPCVD a-Si膜の再結晶化 / p107 (0058.jp2)
- 6.1 序言 / p107 (0058.jp2)
- 6.2 実験方法 / p107 (0058.jp2)
- 6.3 実験結果 / p108 (0059.jp2)
- 6.4 考察 / p125 (0067.jp2)
- 6.5 結言 / p127 (0068.jp2)
- 第7章 結論 / p130 (0070.jp2)
- 謝辞 / p132 (0071.jp2)
- 発表論文 / p133 (0071.jp2)
