薄膜トランジスタ用多結晶シリコン膜形成法に関する研究

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著者

    • 中沢, 憲二 ナカザワ, ケンジ

書誌事項

タイトル

薄膜トランジスタ用多結晶シリコン膜形成法に関する研究

著者名

中沢, 憲二

著者別名

ナカザワ, ケンジ

学位授与大学

金沢大学

取得学位

学術博士

学位授与番号

乙第1146号

学位授与年月日

1991-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 本研究の目的と意義 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本研究の背景 / p2 (0006.jp2)
  5. 1.3 本研究の位置づけ / p21 (0015.jp2)
  6. 1.4 本論文の構成 / p22 (0016.jp2)
  7. 第2章 水素プラズマアニールによるpoly-Si膜の水素化 / p28 (0019.jp2)
  8. 2.1 序言 / p28 (0019.jp2)
  9. 2.2 実験方法 / p29 (0019.jp2)
  10. 2.3 実験結果と考察 / p31 (0020.jp2)
  11. 2.4 結言 / p40 (0025.jp2)
  12. 第3章 高配向poly-Si膜の形成 / p42 (0026.jp2)
  13. 3.1 序言 / p42 (0026.jp2)
  14. 3.2 実験方法 / p43 (0026.jp2)
  15. 3.3 実験結果と考察 / p45 (0027.jp2)
  16. 3.4 結言 / p62 (0036.jp2)
  17. 第4章 μc-Si膜の再結晶化 / p64 (0037.jp2)
  18. 4.1 序言 / p64 (0037.jp2)
  19. 4.2 実験方法 / p65 (0037.jp2)
  20. 4.3 実験結果 / p69 (0039.jp2)
  21. 4.4 考察 / p77 (0043.jp2)
  22. 4.5 結言 / p83 (0046.jp2)
  23. 第5章 PCVDa-Si膜の再結晶化 / p85 (0047.jp2)
  24. 5.1 序言 / p85 (0047.jp2)
  25. 5.2 実験方法 / p86 (0048.jp2)
  26. 5.3 実験結果 / p87 (0048.jp2)
  27. 5.4 考察 / p102 (0056.jp2)
  28. 5.5 結言 / p105 (0057.jp2)
  29. 第6章 Si₂H₆ ガスを用いて堆積したLPCVD a-Si膜の再結晶化 / p107 (0058.jp2)
  30. 6.1 序言 / p107 (0058.jp2)
  31. 6.2 実験方法 / p107 (0058.jp2)
  32. 6.3 実験結果 / p108 (0059.jp2)
  33. 6.4 考察 / p125 (0067.jp2)
  34. 6.5 結言 / p127 (0068.jp2)
  35. 第7章 結論 / p130 (0070.jp2)
  36. 謝辞 / p132 (0071.jp2)
  37. 発表論文 / p133 (0071.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000078326
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000078530
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000242640
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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