SnS[2]の結晶成長、キャラクタリゼーション及び光電気化学的性質に関する研究

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著者

    • 芝田, 高志 シバタ, タカシ

書誌事項

タイトル

SnS[2]の結晶成長、キャラクタリゼーション及び光電気化学的性質に関する研究

著者名

芝田, 高志

著者別名

シバタ, タカシ

学位授与大学

慶應義塾大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第1069号

学位授与年月日

1991-02-06

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. 目次 / p1 (0012.jp2)
  3. The Summary of Ph.D.Dissertation / p1 (0005.jp2)
  4. 主論文要旨 / p2 (0006.jp2)
  5. 主たる記号の定義 / p3 (0006.jp2)
  6. 分析機器に関する略号一覧、基本物理定数 / p4 (0007.jp2)
  7. 口絵 / C1 / (0007.jp2)
  8. 第1章 緒言 / p1 (0017.jp2)
  9. 1.1 本研究の目的と背景 / p1 (0017.jp2)
  10. 1.2 本論文の構成 / p5 (0019.jp2)
  11. 第1章の参考文献 / p9 (0021.jp2)
  12. 第2章 SnS₂単結晶の合成 / p13 (0023.jp2)
  13. 緒言 / p13 (0023.jp2)
  14. 2.1 化学気相輸送法によるSnS₂結晶の低温・逆温度勾配下での合成 / p17 (0025.jp2)
  15. 2.2 低温で単結晶合成・成長を可能とする囚子の解明 / p21 (0027.jp2)
  16. 2.3 第2章の結論 / p71 (0052.jp2)
  17. 第2章の参考文献 / p72 (0052.jp2)
  18. 第3章 逆温度勾配化学気相輸送法で低温合成したSnS₂単結晶のキャラクタリゼーション / p75 (0054.jp2)
  19. 緒言 / p75 (0054.jp2)
  20. 3.1 化学的キャラクタリゼーション / p76 (0054.jp2)
  21. 3.2 光学的キャラクタリゼーション / p94 (0063.jp2)
  22. 3.3 電気的キャラクタリゼーション / p104 (0068.jp2)
  23. 3.4 光電気的キャラクタリゼーション / p115 (0074.jp2)
  24. 3.5 2H-SnS₂単結晶のAgペースト上に於けるSの拡散 / p126 (0079.jp2)
  25. 3.6 結論 / p131 (0082.jp2)
  26. 第4章 光電気化学反応・測定系の設計・製作 / p135 (0084.jp2)
  27. 緒言 / p135 (0084.jp2)
  28. 4.1 光電気化学セル及び電極 / p135 (0084.jp2)
  29. 4.2 光学系及び電気化学測定系(光電気化学測定装置) / p153 (0093.jp2)
  30. 第4章の参考文献 / p162 (0097.jp2)
  31. 第5章 SnS₂の光インタ-カレ-ション反応及びn型半導体のカソ-ド分極光応答 / p165 (0099.jp2)
  32. 緒言 / p165 (0099.jp2)
  33. 第5章緒言の参考文献 / p173 (0103.jp2)
  34. 5.1 光遮断下及び光照射下に於けるKCl水溶液中でのカソード分極反応(光インタ-カレ-ション反応)の化学的解析 / p176 (0104.jp2)
  35. 5.2 光遮下及び光照射下に於けるKCl水溶液中でのカソード分極反応(光インタ-カレ-ション反応)の電気化学解析 / p197 (0115.jp2)
  36. 5.3 SnS₂粉末成型電極のカソード分極下での光応答 / p218 (0125.jp2)
  37. 5.4 SnS₂単結晶のカソード分極光応答機構 / p225 (0129.jp2)
  38. 5.5 光遮断下及び光照射下、HCl水溶液中に於けるカソード分極挙動 / p239 (0136.jp2)
  39. 5.6 SnSe₂の光電気化学的挙動 / p256 (0144.jp2)
  40. 5.7 n型半導体-CdSのカソード分極光応答 / p269 (0151.jp2)
  41. 5.8 結論 / p274 (0153.jp2)
  42. 第6章 光遮断下及び光照射下でのSnS₂単結晶カソード分極生成物の構造上の差異 / p277 (0155.jp2)
  43. 緒言 / p277 (0155.jp2)
  44. 第6章緒言の参考文献 / p279 (0156.jp2)
  45. 6.1 in situ XRD,TG・DTAによる構造 / p280 (0156.jp2)
  46. 6.2 XPSによる生成物の解析 / p293 (0163.jp2)
  47. 6.3 フォトルミネッセンス / p306 (0169.jp2)
  48. 6.4 in situ 吸収スペクトル / p310 (0171.jp2)
  49. 6.5 結論 / p314 (0173.jp2)
  50. 第7章 SnS₂単結晶(001)面のアノード分極下に於ける光電気化学的挙動 / p317 (0175.jp2)
  51. 緒言 / p317 (0175.jp2)
  52. 第7章緒言の参考文献 / p318 (0175.jp2)
  53. 7.1 異常量子効率の発見 / p319 (0176.jp2)
  54. 7.2 2H-SnS₂単結晶(001)面のアノード分極、光照射下での電気化学反応 / p337 (0185.jp2)
  55. 7.3 加速Arイオン照射(スパッタエッチング)によるSnS₂表面での錐体(cone)の生成 / p351 (0192.jp2)
  56. 第8章 逆電荷イオンの挿入現象 / p361 (0197.jp2)
  57. 緒言 / p361 (0197.jp2)
  58. 8.1 序 / p361 (0197.jp2)
  59. 8.2 実験 / p362 (0197.jp2)
  60. 8.3 結果及び検討 / p363 (0198.jp2)
  61. 8.4 結論 / p372 (0202.jp2)
  62. 第8章の参考文献 / p372 (0202.jp2)
  63. 第9章 総括 / p375 (0204.jp2)
  64. 9.1 総合結論 / p375 (0204.jp2)
  65. 9.2 本研究の意義 / p377 (0205.jp2)
  66. 9.3 従来の研究報告との比較(相違点) / p378 (0205.jp2)
  67. 付録1 化学気相輪送法 / p383 (0208.jp2)
  68. 付録2 太陽光とXeランプの分光強度特性 / p387 (0210.jp2)
  69. 付録3 図表説明文一覧 / p391 (0212.jp2)
  70. 使用機器・試薬一覧 / p413 (0223.jp2)
  71. 謝辞 / p419 (0226.jp2)
  72. 著者の発表論文及び発表講演 / p423 (0228.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000078415
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000078619
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000242729
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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