アモルファスⅣb族半導体の圧力誘起相転移と高圧下の物性

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著者

    • 今井, 基晴 イマイ, モトハル

書誌事項

タイトル

アモルファスⅣb族半導体の圧力誘起相転移と高圧下の物性

著者名

今井, 基晴

著者別名

イマイ, モトハル

学位授与大学

慶應義塾大学

取得学位

理学博士

学位授与番号

甲第1099号

学位授与年月日

1991-03-31

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. 目次 / (0007.jp2)
  3. 序論 / p1 (0010.jp2)
  4. I章 IVb 族半導体の物性 / p4 (0013.jp2)
  5. I-1 結晶IV b族半導体の物性 / p4 (0013.jp2)
  6. I-2 アモルファスIV b族半導体の物性 / p27 (0036.jp2)
  7. I-3 準安定な構造からより安定な構造に相転移する際の配位座標モデル / p47 (0056.jp2)
  8. I-4 本論文の目的 / p50 (0059.jp2)
  9. II章 実験装置および測定法 / p52 (0061.jp2)
  10. II-1 圧力発生法 / p52 (0061.jp2)
  11. II-2 高圧下におけるX線回折実験法 / p64 (0073.jp2)
  12. II-3 高圧下における光伝導度測定法 / p70 (0079.jp2)
  13. II-4 高圧下における光吸収係数測定法 / p75 (0084.jp2)
  14. II-5 試料 / p79 (0088.jp2)
  15. III章 シリコン-ゲルマニウム合金の圧力誘起相転移 / p80 (0089.jp2)
  16. III-1 室温におけるアモルファスシリコン-ゲルマニウム合金の圧力誘起アモルファス-結晶転移 / p80 (0089.jp2)
  17. III-2 低温におけるアモルファスシリコン-ゲルマニウム合金の圧力誘起アモルファス-結晶転移 / p89 (0098.jp2)
  18. III-3 アモルファスシリコン-ゲルマニウム合金のクエンチされたβ-Sn型構造の結晶-アモルファス転移 / p93 (0102.jp2)
  19. III-4 結晶シリコン、結晶ゲルマニウムのアモルファス化 / p96 (0105.jp2)
  20. III-5 結晶から得られたアモルファスシリコン、アモルファスゲルマニウムの圧力誘起相転移 / p103 (0112.jp2)
  21. III-6 相転移後の結晶構造の経路依存性 / p106 (0115.jp2)
  22. III-7 ポテンシャル障壁[化学式]の導出 / p112 (0121.jp2)
  23. III-8 他の圧力誘起アモルファス化との関係 / p118 (0127.jp2)
  24. III-9 結晶シリコン、結晶ゲルマニウムの低温における相図に対する検討 / p121 (0130.jp2)
  25. IV章 水素化アモルファスシリコンの光伝導度の圧力変化 / p128 (0137.jp2)
  26. IV-1 暗伝導度に対する光伝導度の比[化学式]の圧力変化 / p128 (0137.jp2)
  27. IV-2 光伝導度の活性化エネルギーの圧力依存性 / p131 (0140.jp2)
  28. IV-3 光伝導度に寄与する捕獲準位のモデル / p135 (0144.jp2)
  29. V章 水素化アモルファスシリコン-ゲルマニウム合金の光吸収係数の圧力変化 / p138 (0147.jp2)
  30. V-1 光吸収係数の圧力変化 / p138 (0147.jp2)
  31. V-2 光学ギャップの圧力変化 / p143 (0152.jp2)
  32. V-3 Taucプロットの傾きの圧力変化 / p147 (0156.jp2)
  33. V-4 光学ギャップの圧力変化に関する考察 / p148 (0157.jp2)
  34. VI章 構造揺らぎとアモルファス半導体の物性 / p153 (0162.jp2)
  35. VI-1 構造揺らぎと圧力誘起相転移 / p153 (0162.jp2)
  36. VI-2 構造揺らぎと光吸収係数 / p163 (0172.jp2)
  37. VI-3 構造揺らぎと光伝導度 / p166 (0175.jp2)
  38. VII章 結論 / p167 (0176.jp2)
  39. VII-1 シリコン-ゲルマニウム合金の圧力誘起相転移 / p167 (0176.jp2)
  40. VII-2 水素化アモルファスシリコンの光伝導度の圧力変化 / p172 (0181.jp2)
  41. VII-3 水素化アモルファスシリコン-ゲルマニウム合金の光吸収係数の圧力変化 / p172 (0181.jp2)
  42. VII-4 構造揺らぎとアモルファス半導体の物性 / p172 (0181.jp2)
  43. 付録 / p174 (0183.jp2)
  44. 引用文献 / p177 (0186.jp2)
  45. 謝辞 / (0191.jp2)
4アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000078445
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000078649
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000242759
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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