砒化ガリウムによる金属/半導体接合電界効果トランジスタの高性能化に関する研究

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著者

    • 上野, 和良 ウエノ, カズヨシ

書誌事項

タイトル

砒化ガリウムによる金属/半導体接合電界効果トランジスタの高性能化に関する研究

著者名

上野, 和良

著者別名

ウエノ, カズヨシ

学位授与大学

東北大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5542号

学位授与年月日

1991-04-10

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0002.jp2)
  2. 第1章 はじめに / p1 (0004.jp2)
  3. 1-1 本研究の背景 / p1 (0004.jp2)
  4. 1-2 砒化ガリウムによる金属/半導体接合トランジスタに関する従来の研究と本研究の特徴 / p3 (0005.jp2)
  5. 1-3 本研究の概要 / p6 (0007.jp2)
  6. 第2章 自己整合技術による相互コンダクタンスの向上 / p9 (0008.jp2)
  7. 2-1 実験 / p11 (0009.jp2)
  8. 2-2 実験結果と考察 / p16 (0012.jp2)
  9. 2-3 リング発振器の作製と動作特性 / p24 (0016.jp2)
  10. 2-4 まとめ / p33 (0020.jp2)
  11. 第3章 分子線エピタキシー法によるチャネルの不純物高密度薄層化と短チャネル効果の抑制 / p35 (0021.jp2)
  12. 3-1 実験 / p36 (0022.jp2)
  13. 3-2 実験結果と考察 / p41 (0024.jp2)
  14. 3-3 まとめ / p52 (0030.jp2)
  15. 第4章 2次元数値解析による比例縮小則の適用 / p54 (0031.jp2)
  16. 4-1 2次元数値解析のモデル / p54 (0031.jp2)
  17. 4-2 均一ドープチャネルGaAsMESFETの微細化とスケーリング / p59 (0033.jp2)
  18. 4-3 ステップドープチャネルGaAsMESFETの微細化とスケーリング / p68 (0038.jp2)
  19. 4-4 ヘテロバッファ層による基板リーグ電流の抑制 / p85 (0046.jp2)
  20. 4-5 ステップドープMESFETと均一ドープMESFETの性能比較 / p89 (0048.jp2)
  21. 4-6 まとめ / p94 (0051.jp2)
  22. 第5章 FET特性のゲートの結晶方向依存性の抑制による特性安定化 / p96 (0052.jp2)
  23. 5-1 解析 / p97 (0052.jp2)
  24. 5-2 実験 / p104 (0056.jp2)
  25. 5-3 まとめ / p109 (0058.jp2)
  26. 第6章 超高真空中での接合形成によるショットキー接合の安定化 / p111 (0059.jp2)
  27. 6-1 実験 / p112 (0060.jp2)
  28. 6-2 実験結果と考察 / p114 (0061.jp2)
  29. 6-3 まとめ / p135 (0071.jp2)
  30. 第7章 まとめ / p137 (0072.jp2)
  31. 謝辞 / p140 (0074.jp2)
  32. 論文リスト / p142 (0075.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000078701
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000078905
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000243015
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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