有機金属を原料としたGaAs,AlGaAsエピタキシャル成長結晶の高純度化に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
-
有機金属を原料としたGaAs,AlGaAsエピタキシャル成長結晶の高純度化に関する研究
- Author
-
木村, 康三
- Author(Another name)
-
キムラ, コウゾウ
- University
-
神戸大学
- Types of degree
-
学術博士
- Grant ID
-
乙第1543号
- Degree year
-
1991-04-26
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- [目次] / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
- 1-1.薄膜成長技術 / p1 (0004.jp2)
- 1-2.本研究の意義 / p4 (0006.jp2)
- 参考文献 / p6 (0007.jp2)
- 第2章 トリエチルガリウムを原料とした減圧OMVPE法によるアンドープGaAsエピタキシャル成長 / p7 (0007.jp2)
- 2-1.序 / p7 (0007.jp2)
- 2-2.実験方法 / p8 (0008.jp2)
- 2-3.実験結果および考察 / p11 (0009.jp2)
- 2-4.結論 / p22 (0015.jp2)
- 参考文献 / p23 (0015.jp2)
- 第3章 トリエチルガリウムと金属砒素を原料とするガスソースMBE法による高純度GaAsエピタキシャル層の成長 / p25 (0016.jp2)
- 3-1.序 / p25 (0016.jp2)
- 3-2.実験方法 / p26 (0017.jp2)
- 3-3.実験結果および考察 / p28 (0018.jp2)
- 3-4.結論 / p40 (0024.jp2)
- 参考文献 / p42 (0025.jp2)
- 第4章 トリエチルガリウムとアルシンを原料とするガスソースMBE法による高純度GaAsエピタキシャル層の成長 / p45 (0026.jp2)
- 4-1.序 / p45 (0026.jp2)
- 4-2.実験方法 / p46 (0027.jp2)
- 4-3.実験結果および考察 / p49 (0028.jp2)
- 4-4.結論 / p57 (0032.jp2)
- 参考文献 / p59 (0033.jp2)
- 第5章 ガスソースMBE成長GaAsのSiドープによる電子濃度制御とエキシマレーザー照射効果 / p61 (0034.jp2)
- 5-1.序 / p61 (0034.jp2)
- 5-2.実験方法 / p62 (0035.jp2)
- 5-3.実験結果および考察 / p64 (0036.jp2)
- 5-4.結論 / p77 (0042.jp2)
- 参考文献 / p78 (0043.jp2)
- 第6章 トリエチルアルミニウムを原料としたガスソースMBE法によるA1GaAsエピタキシャル層の成長 / p81 (0044.jp2)
- 6-1.序 / p81 (0044.jp2)
- 6-2.実験方法 / p82 (0045.jp2)
- 6-3.実験結果および考察 / p83 (0045.jp2)
- 6-4.結論 / p87 (0047.jp2)
- 参考文献 / p89 (0048.jp2)
- 第7章 総括 / p91 (0049.jp2)
- 〔研究業績〕 / p99 (0053.jp2)
- 〔謝辞〕 / p103 (0055.jp2)