有機金属気相成長法によるSi基板上へのGaAsのヘテロエピタキシャル成長の研究

この論文をさがす

著者

    • 秋山, 正博 アキヤマ, マサヒロ

書誌事項

タイトル

有機金属気相成長法によるSi基板上へのGaAsのヘテロエピタキシャル成長の研究

著者名

秋山, 正博

著者別名

アキヤマ, マサヒロ

学位授与大学

京都大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第7601号

学位授与年月日

1991-07-23

注記・抄録

博士論文

新制・論文博士

乙第7601号

論工博第2503号

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. 目次 / p4 (0008.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0009.jp2)
  4. 第2章 MOVPEによるGaAsのホモエピタキシャル成長 / p6 (0012.jp2)
  5. 2.1 はじめに / p6 (0012.jp2)
  6. 2.2 成長 / p6 (0012.jp2)
  7. 2.3 成長条件と成長速度および成長層の特性 / p12 (0015.jp2)
  8. 2.4 高純度GaAsの成長 / p26 (0022.jp2)
  9. 2.5 まとめ / p28 (0023.jp2)
  10. 第3章 Ge基板上へのGaAsの成長 / p29 (0023.jp2)
  11. 3.1 はじめに / p29 (0023.jp2)
  12. 3.2 成長 / p30 (0024.jp2)
  13. 3.3 GaAs成長層の膜質 / p31 (0024.jp2)
  14. 3.4 GaAs成長層の電気的特性 / p34 (0026.jp2)
  15. 3.5 考察 / p37 (0027.jp2)
  16. 3.6 まとめ / p39 (0028.jp2)
  17. 第4章 Si基板上へのGaAsの成長 / p41 (0029.jp2)
  18. 4.1 はじめに / p41 (0029.jp2)
  19. 4.2 Ge基板上への成長と同様の成長法による場合 / p41 (0029.jp2)
  20. 4.3 低温バッファ層の導人 / p43 (0030.jp2)
  21. 4.4 2段階成長法 / p50 (0034.jp2)
  22. 4.5 2段階成長法による成長層の膜質 / p56 (0037.jp2)
  23. 4.6 2段階成長別法の成長機構 / p61 (0039.jp2)
  24. 4.7 Si基板上のGaAs層の問題点 / p78 (0048.jp2)
  25. 4.8 まとめ / p89 (0053.jp2)
  26. 第5章 GaAs/Siウェハのデバイスへの応用 / p91 (0054.jp2)
  27. 5.1 はじめに / p91 (0054.jp2)
  28. 5.2 Crの添加による半絶縁性GaAsの成長 / p91 (0054.jp2)
  29. 5.3 Vの添加による半絶縁性GaAsの成長 / p98 (0058.jp2)
  30. 5.4 ディジタルICへの応用 / p107 (0062.jp2)
  31. 5.5 電力FETへの応用 / p113 (0065.jp2)
  32. 5.6 発光ダイオードへの応用 / p122 (0070.jp2)
  33. 5.7 まとめ / p126 (0072.jp2)
  34. 第6章 結論 / p128 (0073.jp2)
  35. 謝辞 / p131 (0074.jp2)
  36. 本研究に関する発表論文 / p132 (0075.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000079781
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000079986
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000244095
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ