有機金属気相成長法によるSi基板上へのGaAsのヘテロエピタキシャル成長の研究
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Bibliographic Information
- Title
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有機金属気相成長法によるSi基板上へのGaAsのヘテロエピタキシャル成長の研究
- Author
-
秋山, 正博
- Author(Another name)
-
アキヤマ, マサヒロ
- University
-
京都大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
乙第7601号
- Degree year
-
1991-07-23
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 論文目録 / (0001.jp2)
- 目次 / p4 (0008.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0009.jp2)
- 第2章 MOVPEによるGaAsのホモエピタキシャル成長 / p6 (0012.jp2)
- 2.1 はじめに / p6 (0012.jp2)
- 2.2 成長 / p6 (0012.jp2)
- 2.3 成長条件と成長速度および成長層の特性 / p12 (0015.jp2)
- 2.4 高純度GaAsの成長 / p26 (0022.jp2)
- 2.5 まとめ / p28 (0023.jp2)
- 第3章 Ge基板上へのGaAsの成長 / p29 (0023.jp2)
- 3.1 はじめに / p29 (0023.jp2)
- 3.2 成長 / p30 (0024.jp2)
- 3.3 GaAs成長層の膜質 / p31 (0024.jp2)
- 3.4 GaAs成長層の電気的特性 / p34 (0026.jp2)
- 3.5 考察 / p37 (0027.jp2)
- 3.6 まとめ / p39 (0028.jp2)
- 第4章 Si基板上へのGaAsの成長 / p41 (0029.jp2)
- 4.1 はじめに / p41 (0029.jp2)
- 4.2 Ge基板上への成長と同様の成長法による場合 / p41 (0029.jp2)
- 4.3 低温バッファ層の導人 / p43 (0030.jp2)
- 4.4 2段階成長法 / p50 (0034.jp2)
- 4.5 2段階成長法による成長層の膜質 / p56 (0037.jp2)
- 4.6 2段階成長別法の成長機構 / p61 (0039.jp2)
- 4.7 Si基板上のGaAs層の問題点 / p78 (0048.jp2)
- 4.8 まとめ / p89 (0053.jp2)
- 第5章 GaAs/Siウェハのデバイスへの応用 / p91 (0054.jp2)
- 5.1 はじめに / p91 (0054.jp2)
- 5.2 Crの添加による半絶縁性GaAsの成長 / p91 (0054.jp2)
- 5.3 Vの添加による半絶縁性GaAsの成長 / p98 (0058.jp2)
- 5.4 ディジタルICへの応用 / p107 (0062.jp2)
- 5.5 電力FETへの応用 / p113 (0065.jp2)
- 5.6 発光ダイオードへの応用 / p122 (0070.jp2)
- 5.7 まとめ / p126 (0072.jp2)
- 第6章 結論 / p128 (0073.jp2)
- 謝辞 / p131 (0074.jp2)
- 本研究に関する発表論文 / p132 (0075.jp2)
