化学気相成長法によるシリコンならびにシリコンカーバイド結晶成長に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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化学気相成長法によるシリコンならびにシリコンカーバイド結晶成長に関する研究
- 著者名
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大下, 祥雄
- 著者別名
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オオシタ, ヨシオ
- 学位授与大学
-
名古屋大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
乙第3984号
- 学位授与年月日
-
1991-06-06
注記・抄録
博士論文
名古屋大学博士学位論文 学位の種類:工学博士 (論文) 学位授与年月日:平成3年6月6日
目次
- 目次 / (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1.1 まえがき / p1 (0006.jp2)
- 1.2 本研究の背景 / p2 (0007.jp2)
- 1.3 低温選択成長に関する従来の研究 / p5 (0008.jp2)
- 1.4 本研究の目的 / p8 (0010.jp2)
- 1.5 本論文の概要 / p9 (0010.jp2)
- 第1章の参考文献 / p11 (0011.jp2)
- 第2章 Siエピタキシャル成長に於ける吸着過程 / p13 (0012.jp2)
- 2.1 まえがき / p13 (0012.jp2)
- 2.2 Siエピタキシャル成長機構の概略 / p15 (0013.jp2)
- 2.3 非経験的分子軌道法 / p18 (0015.jp2)
- 2.4 吸着過程に関するモデル / p21 (0016.jp2)
- 2.5 表面の電子状態 / p23 (0017.jp2)
- 2.6 吸着過程 / p28 (0020.jp2)
- 2.7 まとめ / p37 (0024.jp2)
- 第2章の参考文献 / p38 (0025.jp2)
- 第3章 Siエピタキシャル成長に於ける表面反応過程 / p41 (0026.jp2)
- 3.1 まえがき / p41 (0026.jp2)
- 3.2 表面反応に関するモデル / p43 (0027.jp2)
- 3.3 表面反応機構 / p46 (0029.jp2)
- 3.4 計算方法 / p53 (0032.jp2)
- 3.5 表面反応経路に間する検討 / p56 (0034.jp2)
- 3.6まとめ / p67 (0039.jp2)
- 第3章の参考文献 / p68 (0040.jp2)
- 第4章 SiC低温成長におけるHCl添加効果 / p70 (0041.jp2)
- 4.1 まえがき / p70 (0041.jp2)
- 4.2 低温成長の問題点 / p72 (0042.jp2)
- 4.3 HCl添加効果 / p77 (0044.jp2)
- 4.4 選択成長 / p85 (0048.jp2)
- 4.5 ダイオード特性 / p88 (0050.jp2)
- 4.6まとめ / p91 (0051.jp2)
- 第4章の参考文献 / p92 (0052.jp2)
- 第5章 SiC低温選択成長 / p93 (0052.jp2)
- 5.1 まえがき / p93 (0052.jp2)
- 5.2 低温成長の問題点 / p95 (0053.jp2)
- 5.3 律速段階に関する検討 / p99 (0055.jp2)
- 5.4 CH₂の吸着過程 / p103 (0057.jp2)
- 5.5 i-C₄H₁₀を用いた成長 / p110 (0061.jp2)
- 5.6 選択成長 / p117 (0064.jp2)
- 5.7まとめ / p121 (0066.jp2)
- 第5章の参考文献 / p122 (0067.jp2)
- 第6章 結論 / p123 (0067.jp2)
- 6.1 本研究の要約 / p123 (0067.jp2)
- 6.2 今後の課題 / p127 (0069.jp2)
- 第6章の参考文献 / p129 (0070.jp2)
- 謝辞 / p130 (0071.jp2)
- 本研究に関する論文リスト / p131 (0071.jp2)
