リンをドープしたn型シリコン中に化学エッチングによって導入される欠陥

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著者

    • 米田, 稔 ヨネタ, ミノル

書誌事項

タイトル

リンをドープしたn型シリコン中に化学エッチングによって導入される欠陥

著者名

米田, 稔

著者別名

ヨネタ, ミノル

学位授与大学

岡山大学

取得学位

理学博士

学位授与番号

甲第984号

学位授与年月日

1991-09-30

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 第2章 実験方法 / p4 (0006.jp2)
  4. 2.1 試料の作製 / p4 (0006.jp2)
  5. 2.2 DLTSの測定方法 / p6 (0007.jp2)
  6. 2.3 焼鈍方法 / p10 (0009.jp2)
  7. 第3章 実験結果 / p11 (0009.jp2)
  8. 3.1 化学エッチングによって導入される欠陥 / p11 (0009.jp2)
  9. 3.2 暗所での焼鈍による欠陥の振舞い / p20 (0014.jp2)
  10. 3.3 光照射下での焼鈍による欠陥の振舞い / p36 (0022.jp2)
  11. 3.4 その他の欠陥の特徴 / p49 (0028.jp2)
  12. 第4章 検討 / p52 (0030.jp2)
  13. 4.1 これまでに報告されているトラップとの比較 / p52 (0030.jp2)
  14. 4.2 欠陥の組成 / p55 (0031.jp2)
  15. 4.3 暗所での欠陥の焼鈍過程 / p60 (0034.jp2)
  16. 4.4 光照射下での欠陥の焼鈍過程 / p65 (0036.jp2)
  17. 第5章 結論 / p74 (0041.jp2)
  18. 謝辞 / p78 (0043.jp2)
  19. 参考文献 / p79 (0043.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000080410
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000080615
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000244724
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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