半導体の短時間熱処理プロセスによる電気的特性と格子欠陥に関する研究

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著者

    • 片山, 雅之 カタヤマ, マサユキ

書誌事項

タイトル

半導体の短時間熱処理プロセスによる電気的特性と格子欠陥に関する研究

著者名

片山, 雅之

著者別名

カタヤマ, マサユキ

学位授与大学

名古屋工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第29号

学位授与年月日

1991-09-12

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 1.1 本研究の背景 / p1 (0004.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p5 (0006.jp2)
  5. 1.3 本研究の概要 / p5 (0006.jp2)
  6. 参考文献 / p7 (0007.jp2)
  7. 第2章 p⁺イオン注入SiのXeランプ短時間(400μs)熱処理 / p11 (0009.jp2)
  8. 2.1 序 / p11 (0009.jp2)
  9. 2.2 実験方法 / p12 (0010.jp2)
  10. 2.3 接合容量を用いた欠陥準位の評価方法 / p15 (0011.jp2)
  11. 2.4 実験結果及び検討 / p25 (0016.jp2)
  12. 2.5 結言 / p34 (0021.jp2)
  13. 参考文献 / p35 (0021.jp2)
  14. 第3章 B⁺イオン注入Siのハロゲンランプ短時間(7sec)熱処理 / p37 (0022.jp2)
  15. 3.1 序 / p37 (0022.jp2)
  16. 3.2 実験方法 / p38 (0023.jp2)
  17. 3.3 実験結果及び検討 / p40 (0024.jp2)
  18. 3.4 結言 / p50 (0029.jp2)
  19. 参考文献 / p52 (0030.jp2)
  20. 第4章 バルクGaAsの短時間熱処理による欠陥の消滅と異種欠陥の生成 / p54 (0031.jp2)
  21. 4.1 序 / p54 (0031.jp2)
  22. 4.2 GaAs中の欠陥準位の概説 / p55 (0031.jp2)
  23. 4.3 実験方法 / p59 (0033.jp2)
  24. 4.4 実験結果及び検討 / p62 (0035.jp2)
  25. 4.5 結言 / p72 (0040.jp2)
  26. 参考文献 / p73 (0040.jp2)
  27. 第5章 バルクGaAsの短時間熱処理によるGa外部拡散と欠陥の構造 / p76 (0042.jp2)
  28. 5.1 序 / p76 (0042.jp2)
  29. 5.2 実験方法 / p77 (0042.jp2)
  30. 5.3 実験結果及び検討 / p79 (0043.jp2)
  31. 5.4 結言 / p99 (0053.jp2)
  32. 参考文献 / p101 (0054.jp2)
  33. 第6章 総括 / p103 (0055.jp2)
  34. 謝辞 / p106 (0057.jp2)
  35. 本研究に関する発表 / p107 (0057.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000080452
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000080657
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000244766
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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