イオンビームスパッタ法を用いた非晶質ベリリウム薄膜形成技術とその応用に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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イオンビームスパッタ法を用いた非晶質ベリリウム薄膜形成技術とその応用に関する研究
- 著者名
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武井, 弘次
- 著者別名
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タケイ, コウジ
- 学位授与大学
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大阪大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
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乙第5506号
- 学位授与年月日
-
1991-09-26
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 本研究の目的と意義 / p2 (0006.jp2)
- 1.3 本論文の構成 / p4 (0007.jp2)
- 第1章参考文献 / p5 (0007.jp2)
- 第2章 室温形成による超伝導Be膜作製 / p7 (0008.jp2)
- 2.1 緒言 / p7 (0008.jp2)
- 2.2 イオンビームスパッタ法の特徴 / p8 (0009.jp2)
- 2.3 非晶質構造の安定化要因 / p10 (0010.jp2)
- 2.4 酸素添加による非晶質Be膜形成 / p32 (0021.jp2)
- 2.5 結語 / p35 (0022.jp2)
- 第2章参考文献 / p37 (0023.jp2)
- 第3章 角度分解型イオンビームスパッタによる膜形成法の開発 / p39 (0024.jp2)
- 3.1 緒言 / p39 (0024.jp2)
- 3.2 角度分解型イオンビームスパッタ装置の構成 / p40 (0025.jp2)
- 3.3 膜特性のスパッタ粒子放出角依存性 / p42 (0026.jp2)
- 3.4 膜形成最適スパッタ粒子放出角 / p54 (0032.jp2)
- 3.5 結語 / p54 (0032.jp2)
- 第3章参考文献 / p56 (0033.jp2)
- 第4章 スパッタ粒子エネルギーの放出角依存性 / p57 (0033.jp2)
- 4.1 緒言 / p57 (0033.jp2)
- 4.2 静的測定による高エネルギー粒子の放出角依存性 / p59 (0034.jp2)
- 4.3 TOF法による高エネルギー粒子の検出 / p65 (0037.jp2)
- 4.4 スパッタ粒子エネルギーの理論計算 / p75 (0042.jp2)
- 4.5 高エネルギー希ガス原子の発生機構 / p78 (0044.jp2)
- 4.6 膜形成における高エネルギー粒子の作用に関する考察 / p82 (0046.jp2)
- 4.7 結語 / p84 (0047.jp2)
- 第4章参考文献 / p86 (0048.jp2)
- 第5章 トンネル接合の作製 / p87 (0048.jp2)
- 5.1 緒言 / p87 (0048.jp2)
- 5.2 実験方法 / p88 (0049.jp2)
- 5.3 実験結果と考察 / p91 (0050.jp2)
- 5.4 結語 / p97 (0053.jp2)
- 第5章参考文献 / p98 (0054.jp2)
- 第6章 磁束量子メモリ素子の作製 / p99 (0054.jp2)
- 6.1 緒言 / p99 (0054.jp2)
- 6.2 材料物性と素子特性に関する従来の知見 / p100 (0055.jp2)
- 6.3 実験方法 / p104 (0057.jp2)
- 6.4 実験結果と考察 / p106 (0058.jp2)
- 6.5 結語 / p111 (0060.jp2)
- 第6章参考文献 / p112 (0061.jp2)
- 第7章 総括 / p113 (0061.jp2)
- 謝辞 / p115 (0062.jp2)
- 研究発表リスト / p116 (0063.jp2)
