Polytype control in crystal growth of SiC for semiconductor devices 半導体デバイスのためのSiCの結晶成長におけるポリタイプ制御

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著者

    • 兪, 祐植 ユ, ウシク

書誌事項

タイトル

Polytype control in crystal growth of SiC for semiconductor devices

タイトル別名

半導体デバイスのためのSiCの結晶成長におけるポリタイプ制御

著者名

兪, 祐植

著者別名

ユ, ウシク

学位授与大学

京都大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第4902号

学位授与年月日

1991-09-24

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. Contents / p5 (0008.jp2)
  3. Abstract / p1 (0006.jp2)
  4. Acknowledgments / p3 (0007.jp2)
  5. 1.Introduction / p1 (0010.jp2)
  6. References / p11 (0015.jp2)
  7. 2.Polytype Change in 3C-SiC / p17 (0018.jp2)
  8. 2.1 Introduction / p17 (0018.jp2)
  9. 2.2 Experimental procedure / p18 (0019.jp2)
  10. 2.3 3C→6H phase transformation / p19 (0019.jp2)
  11. 2.4 Mechanism of 3C→6H phase transformation / p34 (0027.jp2)
  12. 2.5 Activation energy of phase transformation / p38 (0029.jp2)
  13. 2.6 Effects of annealing temperature, time and pressure / p43 (0031.jp2)
  14. 2.7 Summary / p43 (0031.jp2)
  15. References / p45 (0032.jp2)
  16. 3.Polytype-Controlled Sublimation Growth on 3C-SiC Substrates / p49 (0034.jp2)
  17. 3.1 Introduction / p49 (0034.jp2)
  18. 3.2 Experimental details / p50 (0035.jp2)
  19. 3.3 Surface morphology / p54 (0037.jp2)
  20. 3.4 Polytype identification / p56 (0038.jp2)
  21. 3.5 Parameters for polytype control / p62 (0041.jp2)
  22. 3.6 Crystallographic relationship / p64 (0042.jp2)
  23. 3.7 Growth mechanism / p66 (0043.jp2)
  24. 3.8 Crystallinity / p69 (0044.jp2)
  25. 3.9 Summary / p71 (0045.jp2)
  26. References / p72 (0046.jp2)
  27. 4.Growth of 6H-SiC Ingots on Polytype-Controlled Seeds / p75 (0047.jp2)
  28. 4.1 Introduction / p75 (0047.jp2)
  29. 4.2 Ingot growth by sublimation method / p76 (0048.jp2)
  30. 4.3 Preparation and characterization of wafers / p80 (0050.jp2)
  31. 4.4 Electrical properties / p88 (0054.jp2)
  32. 4.5 Summary / p93 (0056.jp2)
  33. References / p94 (0057.jp2)
  34. 5.Homoepitaxial CVD Growth of 6H-SiC and Device Fabrication / p97 (0058.jp2)
  35. 5.1 Introduction / p97 (0058.jp2)
  36. 5.2 Homoepitaxial CVD growth of 6H-SiC / p98 (0059.jp2)
  37. 5.3 Impurity doping / p109 (0064.jp2)
  38. 5.4 Fabrication of Schottky barrier and pn junction diodes / p112 (0066.jp2)
  39. 5.5 Summary / p124 (0072.jp2)
  40. References / p125 (0072.jp2)
  41. 6.A Model for Polytype Formation / p127 (0073.jp2)
  42. 6.1 Introduction / p127 (0073.jp2)
  43. 6.2 Conventional models / p129 (0074.jp2)
  44. 6.3 Electrostatic model / p135 (0077.jp2)
  45. 6.4 Simulation of polytype formation / p146 (0083.jp2)
  46. 6.5 Summary / p169 (0094.jp2)
  47. References / p170 (0095.jp2)
  48. 7.Conclusion / p173 (0096.jp2)
  49. 7.1 Conclusion / p173 (0096.jp2)
  50. 7.2 Recommendation for future work / p176 (0098.jp2)
  51. List of Publications / p179 (0099.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000080700
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000080907
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000245014
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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