分子線エピタキシ(MBE)によるGaAsFET及びHEMTの高性能化と量産化に関する研究

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著者

    • 園田, 琢二 ソノダ, タクジ

書誌事項

タイトル

分子線エピタキシ(MBE)によるGaAsFET及びHEMTの高性能化と量産化に関する研究

著者名

園田, 琢二

著者別名

ソノダ, タクジ

学位授与大学

名古屋工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第31号

学位授与年月日

1991-12-05

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0005.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1.1 関連分野の研究概要と本研究の動機 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的と主な内容 / p13 (0013.jp2)
  5. 1.3 参考文献 / p15 (0014.jp2)
  6. 第2章 MBESiドープGaAs膜の高品質化 / p20 (0017.jp2)
  7. 2.1 はじめに / p20 (0017.jp2)
  8. 2.2 MBE装置及び実験方法 / p23 (0018.jp2)
  9. 2.3 実験結果及び検討 / p26 (0020.jp2)
  10. 2.4 まとめ / p52 (0033.jp2)
  11. 2.5 参考文献 / p55 (0034.jp2)
  12. 第3章 量産MBE装置 / p58 (0036.jp2)
  13. 3.1 はじめに / p58 (0036.jp2)
  14. 3.2 量産性向上及び表面欠陥低減に対する具体的解決策 / p59 (0036.jp2)
  15. 3.3 新MBE装置の概要 / p60 (0037.jp2)
  16. 3.4 量産性及び再現性 / p74 (0044.jp2)
  17. 3.5 均一性 / p78 (0046.jp2)
  18. 3.6 表面欠陥 / p94 (0054.jp2)
  19. 3.7 結晶性 / p100 (0057.jp2)
  20. 3.8 デバイス特性 / p102 (0058.jp2)
  21. 3.9 まとめ / p105 (0059.jp2)
  22. 3.10 参考文献 / p109 (0061.jp2)
  23. 第4章 HEMTの低雑音化及び高信頼度化 / p111 (0062.jp2)
  24. 4.1 はじめに / p111 (0062.jp2)
  25. 4.2 超低雑音HEMTの信頼性 / p114 (0064.jp2)
  26. 4.3 [化学式]/[化学式]歪層チャネルHEMTの低雑音化 / p125 (0069.jp2)
  27. 4.4 まとめ / p150 (0082.jp2)
  28. 4.5 参考文献 / p153 (0083.jp2)
  29. 第5章 高出力GaAsFETの高性能化・高信頼度化及びHEMTの高出力化 / p157 (0085.jp2)
  30. 5.1 はじめに / p157 (0085.jp2)
  31. 5.2 MBEウエハの適用とGaAs/A1GaAs超格子緩和層の導入 / p160 (0087.jp2)
  32. 5.3 多段ゲートリセスによる高出力GaAsFETの高性能化及び高信頼度化 / p174 (0094.jp2)
  33. 5.4 N-GaAs/InGaAs歪層チャネル高出力HEMT / p200 (0107.jp2)
  34. 5.5 まとめ / p210 (0112.jp2)
  35. 5.6 参考文献 / p214 (0114.jp2)
  36. 第6章 結論 / p217 (0115.jp2)
  37. 謝辞 / p227 (0120.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000080990
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000081198
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000245304
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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