MOMBE法における成長機構に関する研究

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著者

    • 渡辺, 明禎, 1955- ワタナベ, アキヨシ

書誌事項

タイトル

MOMBE法における成長機構に関する研究

著者名

渡辺, 明禎, 1955-

著者別名

ワタナベ, アキヨシ

学位授与大学

名古屋工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第32号

学位授与年月日

1991-12-05

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 研究の背景と目的 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本論文の構成 / p5 (0007.jp2)
  5. 第1章の参考文献 / p7 (0008.jp2)
  6. 第2章 μ-RHEED付きM0MBE装置 / p9 (0009.jp2)
  7. 2.1 序言 / p9 (0009.jp2)
  8. 2.2 μ-RHEED装置及びMOMBE装置の概要 / p10 (0010.jp2)
  9. 2.3 ガスセルの検討 / p23 (0016.jp2)
  10. 2.4 μ-RHEED法によるGaAs成長表面の観察 / p29 (0019.jp2)
  11. 2.4 結言 / p39 (0024.jp2)
  12. 第2章の参考文献 / p41 (0025.jp2)
  13. 第3章 RHEED-TRAXS法の検討 / p43 (0026.jp2)
  14. 3.1 序言 / p43 (0026.jp2)
  15. 3.2 装置の概要 / p44 (0027.jp2)
  16. 3.3 半導体基板表面の自然酸化膜の検出 / p45 (0027.jp2)
  17. 3.4 砒素雰囲気下に置かれたlnP基板表面の検討 / p51 (0030.jp2)
  18. 3.5 結言 / p61 (0035.jp2)
  19. 第3章の参考文献 / p64 (0037.jp2)
  20. 第4章 MOMBE法における成長速度の検討 / p65 (0037.jp2)
  21. 4.1 序言 / p65 (0037.jp2)
  22. 4.2 実験方法 / p66 (0038.jp2)
  23. 4.3 結果及び討論 / p67 (0038.jp2)
  24. 4.4 結言 / p76 (0043.jp2)
  25. 第4章の参考文献 / p77 (0043.jp2)
  26. 第5章 TMGaを用いた原子層成長における成長メカニズム / p79 (0044.jp2)
  27. 5.1 序言 / p79 (0044.jp2)
  28. 5.2 成長速度からのメカニズムの検討 / p80 (0045.jp2)
  29. 5.3 オージェ分析による検討 / p91 (0050.jp2)
  30. 5.4 有機金属としてTEGaを用いた場合 / p100 (0055.jp2)
  31. 5.5 結言 / p109 (0059.jp2)
  32. 第5章の参考文献 / p111 (0060.jp2)
  33. 第6章 原子層成長における水素ラジカルの効果 / p113 (0061.jp2)
  34. 6.1 序言 / p113 (0061.jp2)
  35. 6.2 水素ラジカルガン / p113 (0061.jp2)
  36. 6.3 GaAs基板表面の自然酸化膜の除去 / p114 (0062.jp2)
  37. 6.4 有機金属に対する水素ラジカルの効果 / p120 (0065.jp2)
  38. 6.5 結言 / p128 (0069.jp2)
  39. 第6章の参考文献 / p129 (0069.jp2)
  40. 第7章 結論 / p131 (0070.jp2)
  41. 謝辞 / p135 (0072.jp2)
  42. 本研究に関する発表論文 / p137 (0073.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000080991
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001012321
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000245305
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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