Development of in situ processing techniques using focused ion beam 集束イオンビームによるその場加工技術の開発に関する研究

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著者

    • 徐, 征 シュイ, チョン

書誌事項

タイトル

Development of in situ processing techniques using focused ion beam

タイトル別名

集束イオンビームによるその場加工技術の開発に関する研究

著者名

徐, 征

著者別名

シュイ, チョン

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5537号

学位授与年月日

1991-10-28

注記・抄録

博士論文

09936

博士(工学)

1991-10-28

大阪大学

14401乙第05537号

目次

  1. ABSTRACT / p6 (0007.jp2)
  2. Contents / p8 (0008.jp2)
  3. Acknowledgement / p2 (0003.jp2)
  4. CHAPTER1 Introduction / p10 (0009.jp2)
  5. CHAPTER2 Ion Beam Assisted Etching / p21 (0015.jp2)
  6. 2.1 Introduction / p21 (0015.jp2)
  7. 2.2 Experimental / p21 (0015.jp2)
  8. 2.3 Gas Pressure dependence / p23 (0016.jp2)
  9. 2.4 Effect of H₂ Addition / p23 (0016.jp2)
  10. 2.5 Influence of Incident Ion Mass / p25 (0017.jp2)
  11. 2.6 Effect of Incident Angle / p26 (0018.jp2)
  12. 2.7 In situ XPS Measurement / p27 (0018.jp2)
  13. 2.8 Theoretical model / p29 (0019.jp2)
  14. 2.9 Surface Analysis / p31 (0020.jp2)
  15. 2.10 Patterning and Simulation / p33 (0021.jp2)
  16. 2.11 Summary / p35 (0022.jp2)
  17. CHAPTER3 Ion Beam Induced Deposition / p38 (0024.jp2)
  18. 3.1 Introduction / p38 (0024.jp2)
  19. 3.2 Experimental / p38 (0024.jp2)
  20. 3.3 In-situ XPS Measurement / p40 (0025.jp2)
  21. 3.4 Ion Beam Induced Deposition of Tungsten film on GaAs / p46 (0028.jp2)
  22. 3.5 Summary / p51 (0031.jp2)
  23. CHAPTER4 In Situ MBE overgrowth of GaAs QW on the Substrates patterned by FIB / p53 (0032.jp2)
  24. 4.1 Introduction / p53 (0032.jp2)
  25. 4.2 Growth of GaAs QW on the InGaAs patterned by FIB / p53 (0032.jp2)
  26. 4.3 Growth of GaAs QW on the GaAs implanted by Focused Si Beam / p71 (0041.jp2)
  27. 4.4 Summary / p82 (0047.jp2)
  28. CHAPTER5 Selective Formation of 2DEG Using FIB Implantation and MBE Overgrowth / p84 (0048.jp2)
  29. 5.1 Introduction / p84 (0048.jp2)
  30. 5.2 Experimental / p85 (0049.jp2)
  31. 5.3 Low Temperature Transport Measurement / p87 (0050.jp2)
  32. 5.4 Summary / p90 (0051.jp2)
  33. CHAPTER6 Conclusion / p92 (0052.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000081141
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000081349
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000245455
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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