A physico-technical step to ZnSe blue light emitting diode 青色発光素子開発への物理的、かつ技術的な過程

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著者

    • 淀, 徳男 ヨド, トクオ

書誌事項

タイトル

A physico-technical step to ZnSe blue light emitting diode

タイトル別名

青色発光素子開発への物理的、かつ技術的な過程

著者名

淀, 徳男

著者別名

ヨド, トクオ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

理学博士

学位授与番号

乙第5565号

学位授与年月日

1991-12-12

注記・抄録

博士論文

09972

博士(理学)

1991-12-12

大阪大学

14401乙第05565号

目次

  1. Contents / p2 (0003.jp2)
  2. Abstract / p7 (0006.jp2)
  3. 1.Introduction / p10 (0008.jp2)
  4. 1-1.Solid state properties required for blue light emitting diode(B-LED) / p11 (0009.jp2)
  5. 1-2.Background of B-LED fabricated using various materials / p12 (0009.jp2)
  6. 1-3.Why is ZnSe B-LED chosen as most hopeful material? / p18 (0012.jp2)
  7. 1-4.Purpose and significance of this study / p20 (0013.jp2)
  8. 1-5.Construction of this study / p23 (0015.jp2)
  9. 2.ZnSe epitaxial growth by metalorganic vapor phase epitaxy(MOVPE) / p28 (0017.jp2)
  10. 2-1.Heteroepitaxial growth / p28 (0017.jp2)
  11. 2-2.Homoepitaxial growth / p48 (0027.jp2)
  12. 3.Thermal stability of epilayer / p148 (0078.jp2)
  13. 3-1.Heteroepilayer / p149 (0079.jp2)
  14. 3-2.Homoepilayer / p156 (0082.jp2)
  15. 4.p-type ZnSe by ion implantation / p178 (0094.jp2)
  16. 4-1.Li⁺ ion implantation into ZnSe heteroepilayer / p180 (0095.jp2)
  17. 4-2.Na⁺ ion implantation into ZnSe heteroepilayer / p196 (0103.jp2)
  18. 4-3.Li⁺ ion implantation into ZnSe homoepilayer / p204 (0107.jp2)
  19. 4-4.Comparison of doping technique between vapor phase and ion implantation into ZnSe epilayer / p207 (0109.jp2)
  20. 5.Crystalline quality of ZnSe epilayer grown on Li⁺-implanted ZnSe heteroepilayer and fabrication of ZnSe B-LED / p255 (0133.jp2)
  21. 5-1.Crystalline quality of undoped ZnSe epilayer on Li⁺-implanted epilayer / p256 (0134.jp2)
  22. 5-2.Crystalline quality of n-type ZnSe epilayer on Li⁺-implanted epilayer / p261 (0136.jp2)
  23. 6.Conclusion / p291 (0152.jp2)
  24. 7.Acknowledgement / p294 (0154.jp2)
  25. 8.References / p295 (0155.jp2)
  26. 9.Publication lists / p303 (0159.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000081169
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000081377
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 000000245483
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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