Epitaxial growth of GaAs on Si substrate by metalorganic chemical vapor deposition 有機金属化学気相成長法によるシリコン基板上へのガリウム砒素エピタキシャル成長

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著者

    • 西村, 隆司 ニシムラ, タカシ

書誌事項

タイトル

Epitaxial growth of GaAs on Si substrate by metalorganic chemical vapor deposition

タイトル別名

有機金属化学気相成長法によるシリコン基板上へのガリウム砒素エピタキシャル成長

著者名

西村, 隆司

著者別名

ニシムラ, タカシ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5567号

学位授与年月日

1991-12-12

注記・抄録

博士論文

09974

博士(工学)

1991-12-12

大阪大学

14401乙第05567号

目次

  1. ABSTRACT / p1 (0003.jp2)
  2. CONTENTS / p3 (0005.jp2)
  3. CHAPTER 1 GENERAL INTRODUCTION / p1 (0008.jp2)
  4. References / p7 (0014.jp2)
  5. CHAPTER 2 DISLOCATION REDUCTION OF GaAs-on-Si / p8 (0015.jp2)
  6. 2.1 Reduction of Dislocation Density in GaAs-on-Si by Strained-layer Superlattice(SLS) of In[化学式]Ga₁₋[化学式]As-GaAs[化学式]P₁₋[化学式] / p8 (0015.jp2)
  7. 2.2 Dislocation Reduction by Thermal Cyclic Annealing(TCA) / p18 (0025.jp2)
  8. 2.3 Dislocation Reduction by The Combination of SLS and TCA / p22 (0029.jp2)
  9. 2.4 Conclusion / p26 (0033.jp2)
  10. References / p27 (0034.jp2)
  11. CHAPTER 3 GaAs-on-Si LAYER GROWN BY SPECIFICALLY DESIGNED MOCVD SYSTEM / p28 (0035.jp2)
  12. 3.1 Introduction:Two-Reactor MOCVD System Specifically Designed for GaAs-on-Si Growth / p28 (0035.jp2)
  13. 3.2 Experimental / p31 (0038.jp2)
  14. 3.3 Results and Discussion / p31 (0038.jp2)
  15. 3.4 Conclusion / p35 (0042.jp2)
  16. References / p37 (0044.jp2)
  17. CHAPTER 4 REDUCTION OF THERMAL STRESS / p38 (0045.jp2)
  18. 4.1 Background / p38 (0045.jp2)
  19. 4.2 Growth Condition for Single Domain GaAs Layer on SOS / p40 (0047.jp2)
  20. 4.3 Crystal Characteristics of GaAs-on-SOS / p44 (0051.jp2)
  21. 4.4 Dislocation Reduction of GaAs-on-SOS / p50 (0057.jp2)
  22. 4.5 Conclusion / p53 (0060.jp2)
  23. References / p54 (0061.jp2)
  24. CHAPTER 5 AN APPROACH TO CRACK FREE GaAs-on-Si:Surface morphology improvement of GaAs-on-Si using the 2-Reactor MOCVD system and an AlAs/GaAs low temperature buffer layer / p55 (0062.jp2)
  25. 5.1 Introduction / p55 (0062.jp2)
  26. 5.2 Experimental / p56 (0063.jp2)
  27. 5.3 Results and Discussion / p56 (0063.jp2)
  28. 5.4 Conclusion / p61 (0068.jp2)
  29. References / p63 (0070.jp2)
  30. CHAPTER 6 CRACK FREE AND LOW DISLOCATION DENSITY GaAs-on-Si GROWN BY 2-REACTOR MOCVD SYSTEM / p64 (0071.jp2)
  31. 6.1 Introduction / p64 (0071.jp2)
  32. 6.2 Experimental / p66 (0073.jp2)
  33. 6.3 Results and discussion / p69 (0076.jp2)
  34. 6.4 Conclusion / p74 (0081.jp2)
  35. References / p75 (0082.jp2)
  36. SUMMARY / p76 (0083.jp2)
  37. ACKNOWLEDGMENTS / p78 (0085.jp2)
  38. APPENDIX I / p79 (0086.jp2)
4アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000081171
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000081379
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000245485
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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