ブロッホラインメモリにおけるストライプ磁区安定化と素子構成に関する研究

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著者

    • 鈴木, 徹 スズキ, トオル

書誌事項

タイトル

ブロッホラインメモリにおけるストライプ磁区安定化と素子構成に関する研究

著者名

鈴木, 徹

著者別名

スズキ, トオル

学位授与大学

九州大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第2863号

学位授与年月日

1991-10-29

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 ブロッホラインメモリの概要 / p4 (0008.jp2)
  5. 1.3 本研究の目的 / p25 (0029.jp2)
  6. 第2章 ブロッホラインメモリの素子構成 / p27 (0031.jp2)
  7. 2.1 はじめに / p27 (0031.jp2)
  8. 2.2 ストライプ磁区安定化の予備実験 / p28 (0032.jp2)
  9. 2.3 ブロッホラインメモリの素子構成の提案 / p43 (0047.jp2)
  10. 2.4 まとめ / p47 (0051.jp2)
  11. 第3章 100%グループによるストライプ磁区の安定化 / p48 (0052.jp2)
  12. 3.1 はじめに / p48 (0052.jp2)
  13. 3.2 グループ形成方法の検討 / p49 (0053.jp2)
  14. 3.3 ストライプ磁区初期化の検討 / p58 (0062.jp2)
  15. 3.4 まとめ / p67 (0071.jp2)
  16. 第4章 高周波磁壁振動法によるVBLの観察 / p68 (0072.jp2)
  17. 4.1 はじめに / p68 (0072.jp2)
  18. 4.2 実験方法 / p69 (0073.jp2)
  19. 4.3 バブル磁区の磁壁観察 / p74 (0078.jp2)
  20. 4.4 ストライプ磁区の磁壁観察 / p79 (0083.jp2)
  21. 4.5 まとめ / p83 (0087.jp2)
  22. 第5章 結論 / p84 (0088.jp2)
  23. 謝辞 / p87 (0091.jp2)
  24. 参考文献 / p88 (0092.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000081407
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000081615
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000245721
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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