CVD法における気相プロセスと表面成膜プロセス : Si,SiC,WSix,TiO[2]生成の場合

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著者

    • 霜垣, 幸浩 シモガキ, ユキヒロ

書誌事項

タイトル

CVD法における気相プロセスと表面成膜プロセス : Si,SiC,WSix,TiO[2]生成の場合

著者名

霜垣, 幸浩

著者別名

シモガキ, ユキヒロ

学位授与大学

東京大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第8838号

学位授与年月日

1991-03-15

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 緒言 / p1 (0008.jp2)
  3. 本論文の目的 / p1 (0008.jp2)
  4. 本論文の構成 / p3 (0010.jp2)
  5. 第1部 Poly-SiのCVDプロセス / p3 (0010.jp2)
  6. 第2部 SiCのCVDプロセス / p3 (0010.jp2)
  7. 第3部 WSixのCVDプロセス / p4 (0011.jp2)
  8. 第4部 TiO₂の超微粒子沈着CVDによる高速合成 / p4 (0011.jp2)
  9. 第1部 Poly-SiのCVDプロセス -気相反応による中間体の生成と成膜過程への寄与- / p6 (0013.jp2)
  10. 序 / p6 (0013.jp2)
  11. §I Si薄膜製造プロセスの概説 / p8 (0015.jp2)
  12. 1.1 エピタキシャルシリコン / p8 (0015.jp2)
  13. 1.2 ポリシリコン / p10 (0017.jp2)
  14. 1.3 アモルファスシリコン / p12 (0019.jp2)
  15. §2 既往の研究 / p12 (0019.jp2)
  16. 2.1 反応機構と成膜速度 / p12 (0019.jp2)
  17. 2.2 SiH₄気相熱分解反応機構 / p14 (0021.jp2)
  18. 2.3 気相反応の関与を示す実験事実 / p18 (0025.jp2)
  19. 2.4 気相反応を考慮したシミュレーション / p22 (0029.jp2)
  20. 2.5 気相のInSitu測定による反応機構の解析 / p25 (0032.jp2)
  21. 2.6 表面での反応と付着確率 / p32 (0039.jp2)
  22. §3 気相反応のシミュレーション / p34 (0041.jp2)
  23. 3.1 シミュレーションの方法とアルゴリズム / p35 (0042.jp2)
  24. 3.2 気相反応のシミュレーション結果 / p36 (0043.jp2)
  25. 3.3 析出反応を考慮したシミュレーション結果 / p38 (0045.jp2)
  26. §4 ステップカバレッジによる中間体生成量の評価 / p43 (0050.jp2)
  27. 4.1 ステップカバレッジと付着確率 / p44 (0051.jp2)
  28. 4.2 ポリシリコン薄膜のステップカバレッジ測定結果 / p48 (0055.jp2)
  29. §5 Micro/Macro Cavity (MMC)法による反応機構の解析 / p52 (0059.jp2)
  30. 5.1 MMC法の解析方法 / p52 (0059.jp2)
  31. 5.2 SiH₄を原料とした場合のMMC法による解析 / p57 (0064.jp2)
  32. 5.3 他の解析結果との整合性 / p59 (0066.jp2)
  33. §6 Si₂H₆を原料とした場合の気相反応 / p60 (0067.jp2)
  34. 第1部の総括 / p66 (0073.jp2)
  35. 第2部 SiCのCVDプロセス -気相反応の寄与と粒子生成の抑制- / p68 (0075.jp2)
  36. 序 / p68 (0075.jp2)
  37. §I SiC薄膜の用途 / p69 (0076.jp2)
  38. §2 既往の研究 / p70 (0077.jp2)
  39. §3 実験装置 / p71 (0078.jp2)
  40. §4 SiH₄/C₆H₆系によるSiC合成 / p73 (0080.jp2)
  41. 4.1 全圧による微粒子・膜合成の制御 / p73 (0080.jp2)
  42. 4.2 SiH₄によるC₆H₆分解の促進効果 / p78 (0085.jp2)
  43. §5 SiH₄/C₂H₂系によるSiC合成 / p80 (0087.jp2)
  44. 5.1 SiH₄によるC₂H₂分解の促進効果 / p80 (0087.jp2)
  45. 5.2 ガスクロマトグラフによるSiH₄ , C₂H₂の反応率の測定 / p82 (0089.jp2)
  46. 5.3 MMC法による気相反応と表面反応の寄与の測定 / p85 (0092.jp2)
  47. 第2部の総括 / p89 (0096.jp2)
  48. 第3部 WSixのCVDプロセス -気相生成中間体分子サイズの測定- / p91 (0098.jp2)
  49. 序 / p91 (0098.jp2)
  50. §1 LSIゲート電極製造プロセスの概説 / p92 (0099.jp2)
  51. 1.1 ゲートトランジスタの構造と動作原理 / p92 (0099.jp2)
  52. 1.2 DRAMのメモリーセルの構造 / p93 (0100.jp2)
  53. 1.3 ゲート電極の製造工程 / p93 (0100.jp2)
  54. 1.4 WSix-CVDプロセスの特徴及び問題点 / p95 (0102.jp2)
  55. §2 既往の研究 / p96 (0103.jp2)
  56. 2.1 WSix膜のCVD装置 / p96 (0103.jp2)
  57. 2.2 WSix-CVDプロセスの研究例 / p98 (0105.jp2)
  58. §3 WSix-CVDにおける中間体分子サイズの測定 / p99 (0106.jp2)
  59. 3.1 実験装置 / p99 (0106.jp2)
  60. 3.2 ステップカバレッジの測定 / p100 (0107.jp2)
  61. 3.3 反応管内の成膜速度分布の測定 / p102 (0109.jp2)
  62. 3.4 拡散係数及び成膜種の大きさの推算 / p104 (0111.jp2)
  63. 第3部の総括 / p106 (0113.jp2)
  64. 第4部 TiO₂の超微粒子沈着CVDによる高速合成 -微粒子が成膜過程に寄与する例- / p107 (0114.jp2)
  65. 序 / p107 (0114.jp2)
  66. §1 既往の研究 / p108 (0115.jp2)
  67. 1.1 CVD法の改良 / p108 (0115.jp2)
  68. 1.2 TiO₂膜のCVD / p109 (0116.jp2)
  69. §2 超微粒子沈着CVD(PPCVD)の概念 / p110 (0117.jp2)
  70. 2.1 微粒子の輸送と捕集 / p111 (0118.jp2)
  71. 2.2 超微粒子沈着CVDに必要な条件 / p116 (0123.jp2)
  72. §3 実験装置及び実験方法 / p117 (0124.jp2)
  73. 3.1 実験装置 / p117 (0124.jp2)
  74. 3.2 原料ガス濃度及び反応率の測定 / p118 (0125.jp2)
  75. 3.3 生成物の分析 / p119 (0126.jp2)
  76. §4 実験結果 / p120 (0127.jp2)
  77. 4.1 TiO₂析出速度分布 / p120 (0127.jp2)
  78. 4.2 TiO₂の形状 / p121 (0128.jp2)
  79. 4.3 TiO₂膜の結晶構造 / p123 (0130.jp2)
  80. 4.4 成膜速度 / p124 (0131.jp2)
  81. §5 考察 / p124 (0131.jp2)
  82. 5.1 通常のCVD法との比較 / p124 (0131.jp2)
  83. 5.2 結晶質膜の配向性及び結晶構造 / p124 (0131.jp2)
  84. 第4部の総括 / p125 (0132.jp2)
  85. 結言 / p126 (0133.jp2)
  86. 各部から得られた結論 / p126 (0133.jp2)
  87. 今後の展望 / p127 (0134.jp2)
  88. 引用文献 / p128 (0135.jp2)
  89. 英文リスト / p128 (0135.jp2)
  90. 和文リスト / p131 (0138.jp2)
  91. 発表状況 / p133 (0140.jp2)
  92. 謝辞 / p137 (0144.jp2)
9アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000081596
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000081804
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000245910
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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