シリコン及びその吸着面の準安定原子電子分光

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著者

    • 石井, 久夫, 1962- イシイ, ヒサオ

書誌事項

タイトル

シリコン及びその吸着面の準安定原子電子分光

著者名

石井, 久夫, 1962-

著者別名

イシイ, ヒサオ

学位授与大学

東京大学

取得学位

理学博士

学位授与番号

甲第8945号

学位授与年月日

1991-03-29

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 第2章 固体表面の解析法 / p9 (0014.jp2)
  4. 2-1 準安定原子電子分光 / p10 (0015.jp2)
  5. 2-2 紫外光電子分光 / p15 (0020.jp2)
  6. 2-3 オージェ電子分光 / p17 (0022.jp2)
  7. 2-4 低速電子回折 / p18 (0023.jp2)
  8. 第3章 実験装置 / p28 (0033.jp2)
  9. 3-1 超高真空槽と排気系 / p28 (0033.jp2)
  10. 3-2 準安定原子源 / p30 (0035.jp2)
  11. 3-3 単色電子源 / p31 (0036.jp2)
  12. 3-4 真空紫外光源 / p31 (0036.jp2)
  13. 3-5 計測系 / p32 (0037.jp2)
  14. 3-6 LEED-AES装置 / p33 (0038.jp2)
  15. 3-7 試料の操作 / p34 (0039.jp2)
  16. 第4章 Si(111)-7x7清浄表面と酸化表面の準安定原子電子分光:半導体-絶縁体転移の観測 / p45 (0050.jp2)
  17. 4-1 序 / p45 (0050.jp2)
  18. 4-2 実験 / p46 (0051.jp2)
  19. 4-3 結果と考察 / p47 (0052.jp2)
  20. 第5章 シリコンの清浄表面の準安定原子電子分光 / p59 (0064.jp2)
  21. 5-1 Si(111)-7x7表面の準安定原子電子分光―表面準位の関与するオージェ遷移の観測― / p59 (0064.jp2)
  22. 5-2 MAESのdeconvolutionによる解析 / p67 (0072.jp2)
  23. 5-3 Si(100)-2x1表面のMAES / p73 (0078.jp2)
  24. 第6章 Si(100)-2x1表面上のアルカリ金属吸着層 / p89 (0094.jp2)
  25. (1)序論 / p89 (0094.jp2)
  26. (2)実験 / p93 (0098.jp2)
  27. (3)結果と考察 / p93 (0098.jp2)
  28. 報文目録 / p132 (0137.jp2)
  29. 講演目録 / p134 (0139.jp2)
  30. 謝辞 / p137 (0142.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000081703
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001012361
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000246017
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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